2020 국회직 9급 전자공학개론 문제 정답 - 2020.8.22.

 

전자공학개론정답(2021-05-29 / 909.5KB / 509회)

 

 2020년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 17 - 전 자 공 학 개 론 1. 불순물이 주입되지 않은 진성반도체 A와 도너(donor)원자와 억셉 터(acceptor)원자가 동일한 농도로 주입된 반도체 B의 특성으로 옳은 것은? (단,  : 자유전자농도,  : 전기전도도이다) ①  ≻ ②  ≺ ③    ④  ≺ ⑤  ≻ 2. 다음 디지털회로의 입력 클록 CLK의 주파수가 1,000[MHz]라면 출력 신호 Y의 주파수의 값[MHz]은? ① 32 ② 62.5 ③ 80.5 ④ 125 ⑤ 250 3. =100인 다음 트랜지스터 회로에서 VCEQ  VCC 가 되도록 하기 위한 RC의 값[kΩ]은? (단, 트랜지스터는 선형영역에서 동작하며 VBE = 0.7V이다) ① 0.5 ② 1 ③ 5 ④ 10 ⑤ 100 4. 다음 연산증폭기 회로에서 출력전압 VO의 값[V]은? (단, 연산증폭 기는 이상적이다) ① 0 ② 1 ③ 2 ④ 3 ⑤ 4 5. 아래의 캐패시터 회로에서 스위치1(SW1)이 닫혀있고 스위치 2(SW2)가 열려있는 상태이며 이때 VO = 1[V]이다. 이후 스위치 1(SW1)이 열리고 난 다음 스위치2(SW2)가 닫히면 VO의 값[V]은? ① 1 ② 2 ③ 3 ④ 4 ⑤ 5 6. 전자기파에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? ① 전자기파의 근원은 시간에 따라 변하는 전하에 의한 것이다. ② 전자기파는 횡파이다. ③ 암페어-맥스웰 법칙에 의하면, 한 점에서 시변 전계가 증가하면 그 점을 중심으로 오른손 법칙을 만족하는 방향으로 회전하는 시 변 자계를 생성한다. ④ 렌츠의 법칙에 의하면, 유도기전력은 자속변화를 방해하는 방향 으로 생성된다. ⑤ 시변 전계와 시변 자계는 항상 반대 방향이다. 2020년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 18 - 7. 다음 연산증폭기 회로에서 t = 0[sec]에서 스위치가 개방될 때 VO 가 5[V]가 될 때까지 걸리는 시간[ms]은? (단, 연산증폭기는 이상 적이다) ① 1 ② 5 ③ 10 ④ 50 ⑤ 100 8. 연산증폭기의 차동 이득 Ad = 2,000, 공통신호 제거비 CMRR = 10,000이고, 두 개의 입력 신호가 V   V와 V  V 일 때, 출력 전압 VO에 가장 가까운 값[mV]은? ① 10 ② 25 ③ 30 ④ 40 ⑤ 50 9. 카운터에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 비동기식 카운터를 직렬로 연결하여 주파수 디바이더(Frequency Divider)를 만들 수 있다. ② n개의 플립플롭을 사용하여 2의 n승 분의 1(=1/2 n)의 주파수를 가지는 주파수 디바이더를 만들 수 있다. ③ 비동기식 리플 카운터의 전달지연시간(Propagation Delay)은 입 력클럭의 주기보다 커도 된다. ④ 카운터를 이용하여 특정한 출력 스테이트를 검출하는 디코더 (Decoder)를 만들 수 있다. ⑤ 0, 1,…,9의 순서로 동작하는 카운터 동작을 위해서는 4개의 플립 플롭이 필요하다. 10. 다음 회로에서 스위치가 오랫동안 닫혀있다가 t = 0[sec]에서 열 린다고 할 때 전류 i(t)의 값[A]은? (단, t>0이다) ① ․  ② 4 + 2․  ③ 2 + 4․  ④ 4 + 2․  ⑤ 2 + 4․  11. 다음 회로에서 부하저항 RL이 소모하는 전력이 최대가 되는 RL의 값[Ω]은? ① 5 ② 10 ③ 15 ④ 20 ⑤ 30 2020년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 19 - 12. 다음 회로에서 IE = 1[mA]로 설정하기 위한 R의 값과 VO의 값은? (단, VBE = 0.7V, β = 100이고 VO는 근삿값이다) R VO ① 300Ω 1V ② 300Ω 9V ③ 1kΩ 1V ④ 3kΩ 1V ⑤ 3kΩ 9V 13. 다음 회로의 종속 전압원에서 공급한 전력[W]은? ① -1,500 ② -1,000 ③ 1,000 ④ 1,500 ⑤ 2,000 14. 다음 다이오드 회로에서 최댓값이 Vm인 정현파 입력 신호에 대한 출력 신호의 파형으로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이다) ① ② ③ ④ ⑤ 15. 다이오드 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 역방향 전압이 높아질수록 공핍층의 두께가 감소한다. ② 역방향 전압을 가하면 전류가 거의 흐르지 않는다. ③ 순방향 전압을 가할 경우 온도가 높아지면 동일전류 조건에서 다 이오드 전압이 감소한다. ④ 순방향 전압을 가하면 0.7V 근처에서 전류는 전압의 크기에 지수 함수적으로 비례하여 증가한다. ⑤ 쇼트키 다이오드는 문턱전압이 일반 다이오드보다 낮은 특성을 갖는다. 16. 다음은 직류전원 공급체계를 나타낸 흐름도이다. (가)와 (나)에 들 어갈 회로로 옳은 것은? ① 정류기, 레귤레이터 ② 발진기, 정류기 ③ 발진기, 인버터 ④ 정류기, 발진기 ⑤ 인버터, 레귤레이터 2020년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 20 - 17. 다음과 같이 주어진 진리표로부터 출력 X를 옳게 표현한 것은? 입력 출력 A B C X 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 ① AB C ② AC  B ③ AB  C ④ AB  C ⑤ BC  A 18. 다음 NMOSFET 회로의 Vx=0.4[V]일 때 ID의 값[mA]은? (단, µnCOXW/L=1[mA/V2 ], 문턱전압 VT=0.4[V], VDD=1.8[V], MOSFET의 소스(source)와 기판(substrate)은 연결됨. µn: 전자의 이동도, COX: 게이트산화막의 정전용량, W: MOSFET의 채널폭, L: MOSFET의 채널길이) ① 0.5 ② 0.7 ③ 1 ④ 1.4 ⑤ 2 19. 다음 트랜지스터 회로(A)에서 소신호 증폭률(Vo/Vs)의 근삿값은? (단, 트랜지스터의 소신호 등가회로는 (B)와 같으며, rb = 2.5[kΩ], β = 99, R1 = 100[Ω], R2 = 625[Ω]이다) (A) (B) ① -1 ② -2 ③ -3 ④ -4 ⑤ -5 20. 디지털 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? ① XNOR 게이트를 집합으로 표시하면 교집합이다. ② 전가산기는 두 개의 입력이 더해지는 값이다. ③ S-R 플립플롭 회로에서 S와 R 입력 신호가 1이면 이전 출력 상 태를 유지한다. ④ 래치는 클록 입력 신호가 변경될 때 출력의 상태가 바뀐다. ⑤ 입력이 두 개인 XOR 게이트는 입력이 다르면 진리값이 참이다.