전자공학개론정답(2021-04-28 / 887.0KB / 271회)
2015년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 13 - 전 자 공 학 개 론 1. 교류회로에서 커패시터와 인덕터의 특성을 에서 옳은 것 을 모두 고르면? < 보 기 > ㄱ. 커패시터 양단에 걸리는 전압의 시간에 따른 변화가 커지면 커패시터에 흐르는 전류도 비례하여 커진다. ㄴ. 커패시터의 용량성리액턴스의 크기는 커패시턴스가 커질수록 증 가한다. ㄷ. 두 개의 인덕터가 병렬로 연결되면 전체 인덕턴스는 각각의 인덕턴스의 합과 같다. ㄹ. 인덕터의 유도성리액턴스는 주파수가 높아질수록, 인덕턴스 가 증가할수록 증가한다. ① ㄱ, ㄴ ② ㄱ, ㄷ ③ ㄱ, ㄹ ④ ㄴ, ㄷ ⑤ ㄴ, ㄹ 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)를 이용한 증폭기에 대한 설명으 로 옳지 않은 것은? ① 공통베이스(Common Base) 증폭기의 입력임피던스는 공통이미 터(Common Emitter) 증폭기에 비해 매우 작다. ② 공통베이스(Common Base) 증폭기와 공통이미터(Common Emitter) 증폭기의 전압이득은 비슷하며, 입력전압에 대한 출력전압은 각 각 동위상, 역위상이다. ③ 공통컬렉터(Common Collector) 증폭기의 출력임피던스는 공통이 미터(Common Emitter) 증폭기에 비해 매우 작다. ④ 공통컬렉터(Common Collector) 증폭기의 전압이득은 거의 1이며 입력전압에 대한 출력전압은 역위상이다. ⑤ 공통이미터(Common Emitter) 증폭기는 전압이득과 전류이득 모 두 1보다 훨씬 크다. 3. MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 금속-산화물-반도체 구조로 게이트부가 절연되어 있어 게이트 전류는 극히 작게 흐른다. ② 증가모드 nMOSFET는 게이트에 (+)전압을 인가하여 소스와 드 레인사이 전류를 증가시킨다. ③ 공핍모드 nMOSFET는 게이트에 (-)전압을 인가하여 소스와 드레 인사이에 흐르는 전류를 차단하므로 JFET와 유사하게 동작된다. ④ MOSFET 게이트는 PN접합구조가 아니라는 면에서 JFET와 다 르다. ⑤ MOSFET는 공핍 또는 증가모드에서 동작할 수 있고, 입력임피 던스는 일반적으로 JFET보다 충분히 낮다. 4. 다음 회로에서 에 흐르는 전류 값이 옳은 것은? ① 4 [mA] ② 5 [mA] ③ 6 [mA] ④ 7 [mA] ⑤ 8 [mA] 5. 다음 회로의 전송파라미터 [A,B,C,D 정수]로 옳은 것은? ① ② ③ ④ ⑤ 2015년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 14 - 6. 그림과 같은 직렬 R-X 회로에서 저항 = 40.0[Ω]이고 용량성리 액턴스 = -30.0[Ω]이다. 100∠0°의 교류전압이 인가될 때, 회 로에 흐르는 실효전류(Irms)와 역률로 옳은 것은? Irms[A] 역률 ① 2.0 0.6 ② 2.0 0.8 ③ 2.5 0.75 ④ 2.5 0.6 ⑤ 2.5 0.8 7. 다음 연산증폭기의 회로에서 주어진 전압 , , 에 대해 전달관계가 발생한다. , 의 값으로 옳은 것은? ① = 1 , = -2 ② = -1 , = 2 ③ = 1/2 , = -2 ④ = -1/2 , = 2 ⑤ = 1/2 , = 2 8. 그림과 같은 다이오드를 이용한 회로에서 입력전압에 대한 출력 전압의 최대전압으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 장벽전위는 0.7[V]이고 제너전압은 5.1[V]이다.) 양의 최대 전압[V] 음의 최대 전압[V] ① 5.8 -5.8 ② 5.8 -10 ③ 10 -10 ④ 10 -5.8 ⑤ 0.7 -0.7 9. 그림과 같이 JFET를 이용한 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 커패시터 , , 는 동작주파수에서 단락이라 가정하고 전달컨덕턴스는 2,000[μS], 드레인전류는 1[mA]이다.) ① N채널 JFET를 이용한 공통소스(Common Source) 증폭기이다. ② 증폭기의 바이어스는 전압분배 바이어스회로로 구성되어 있다. ③ 증폭기의 출력전압은 약 2 이다. ④ 게이트-소스 사이의 직류 전압()은 –0.22[V]이다. ⑤ 출력전압의 파형은 입력전압의 파형과 역위상이다. 2015년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 15 - 10. 논리식 를 간단 히 하면 옳은 것은? ① ② ③ ④ ⑤ 11. 반도체에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고르면? ㄱ. 3가 불순물로 도핑된 실리콘을 N형 반도체라 하고 다수캐리어는 전자이다. ㄴ. 실리콘 결정체는 상온에서 전자-전공쌍이 지속적으로 발생하고 소멸된다. ㄷ. PN 접합시 공핍층에서 정공은 소멸하고 자유전자는 가전자가 된다. ㄹ. 최외각 궤도에 4개의 가전자를 갖는 원소를 주로 진성반도체로 사용한다. ① ㄱ, ㄹ ② ㄴ, ㄷ ③ ㄱ, ㄴ, ㄷ ④ ㄴ, ㄷ, ㄹ ⑤ ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ 12. 다음 중 차동증폭기의 공통모드 제거비(CMRR)에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 은 공통모드 이득, 은 차동모드 이득이다.) ① 공통모드 이득 이 클수록 CMRR이 커진다. ② 차동모드 이득 이 클수록 CMRR이 커진다. ③ 차동쌍의 이미터 전류원 출력 저항 가 작을수록 CMRR 커진다. ④ CMRR = / 으로 정의된다. ⑤ CMRR이 작을수록 차동증폭기의 성능이 우수하다. 13. 다음 중 지상파 디지털TV 전송방식으로 옳지 않은 것은? ① ATSC ② DVB-T ③ ISDB-T ④ DTMB ⑤ QAM 14. 아래 회로에서 부하 에 최대전력을 전달하기 위한 값으 로 옳은 것은? ① ② ③ ④ ⑤ 15. 다음과 같은 회로에서 cos이고 ∠ Ω 이다. 전류 [A]의 식을 시간의 함수로 나타내면 옳은 것은? ① ② cos ③ ④ cos ⑤ 2015년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 16 - 16. 그림과 같은 이상적인 연산증폭기 회로(a)에서 입력전압(b)이 인 가되었을 때 출력전압 파형으로 옳은 것은? (a) (b) ① ② ③ ④ ⑤ 17. 입력이 A, B, C 3개인 NAND gate에서 다음과 같은 연속적인 디 지털 신호가 들어갈 때 출력의 파형으로 옳은 것은? ① OUTPUT 4 ② OUTPUT 3 ③ OUTPUT 2 ④ OUTPUT 1 ⑤ 답 없음 18. 다음 그림과 같이 바이어스된 BJT의 컬렉터 전류 의 값으로 옳은 것은? (단, = 22.7[V], = 600[kΩ], = 3.3[kΩ], = 0.7[V], = 150 이다.) ① 1.8 [mA] ② 3.8 [mA] ③ 4.7 [mA] ④ 5.5 [mA] ⑤ 6.7 [mA] 2015년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 17 - 19. MOSFET의 전달특성곡선(전압-전류 그래프)이 그림과 같을 때 각각의 특성을 갖는 소자로 옳은 것은? (a) (b) (a) (b) ① N채널 D-MOSFET P채널 E-MOSFET ② N채널 E-MOSFET P채널 D-MOSFET ③ P채널 E-MOSFET P채널 D-MOSFET ④ P채널 D-MOSFET N채널 E-MOSFET ⑤ N채널 E-MOSFET N채널 D-MOSFET 20. 다음의 진리표를 갖는 3개의 회로 G1, G2, G3를 연결한 다음 회 로의 부울식으로 옳은 것은? ① ② ③ ④ ⑤