2023 국가직 7급 전자회로 문제 정답 (2차) - 2023.9.24.

 

국가 7급 2차 전자회로-가정답(2023-09-24 / 1.04MB / 356회)

 

국가 7급 2차 전자회로-가정답(2023-09-24 / 3.17MB / 68회)

 

 2023년도 국가공무원 7급 공채 제2차 필기시험 전자회로 책형 1쪽 전자회로 1. 다음 회로에서 VDD ＝ 12 [V], Rg ＝ 1 [MΩ], VGS ＝ 4 [V], IDS ＝ 0.5 [mA]일 경우, RL[kΩ]은? (단, Rg에 전류가 흐르지 않는다고 가정한다) ① 4 ② 8 ③ 16 ④ 24 2. 다음 검파회로에서 입력된 반송파의 주파수가 10 [kHz]일 때, 회로의 시정수는 반송파 주기의 몇 배인가? (단, 다이오드는 이상적이다) ① 3 ② 15 ③ 20 ④ 30 3. 다음 공진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 공진 주파수 fo   LC  이다. ② 공진 주파수일 때, 입력 임피던스 Zi는 R이다. ③ 양호도(Quality factor, Q)는 R에 반비례한다. ④ 양호도는 L에 반비례한다. 4. 다음 회로와 같은 동작을 하는 출력 Y의 논리식은? (단, R2 ≫ R1, 입력 A, B, C에 0 [V] 또는 5 [V]가 인가되며, 다이오드는 이상적이다) ① ABC ② A BC ③ AB C ④ AB C 5. 다음 회로에서 입력 A, B에 논리값 ‘0’과 ‘1’에 해당하는 0 [V] 또는 5 [V]를 인가할 때, 출력 F의 논리값 중 (가)와 (다)에 들어갈 값은? (단, 입력 A, B에 0 [V] 또는 5 [V]를 인가할 때, 트랜지스터 Q1, Q2, Q3는 차단 또는 포화영역에서만 동작하도록 저항값을 설계하였다) (가) (다) ① 0 0 ② 0 1 ③ 1 0 ④ 1 1 2023년도 국가공무원 7급 공채 제2차 필기시험 전자회로 책형 2쪽 6. 그림 (a) 회로에 (b)의 입력 Vi가 인가될 때, 최대 양(＋)의 출력전압 Vo[V]에 가장 가까운 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다) ① 1.92 ② 2.62 ③ 19.3 ④ 20 7. 다음 회로에서 출력전압 Vo[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ① 4 ② 8 ③ 10 ④ 12 8. 다음 회로에서 전달함수 Vis Vos 는? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ①   RC s   RC s  RC ②   RC s   RC s  sRC ③ sRCsRC RC ④ sRCsRC sRC 9. 다음 회로에서 공진 각주파수[rad/s]는? ① 1 ② 2 ③ 3 ④ 4 10. 다음 회로에서 입력 V1, V2, V3에 대한 출력 Vo의 관계식은? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ① 2V1 ＋ 2V2 ＋ V3 ② 3V1 － 3V2 ＋ V3 ③ 4V1 － 4V2 ＋ V3 ④ 4V1 － 4V2 ＋ 2V3 2023년도 국가공무원 7급 공채 제2차 필기시험 전자회로 책형 3쪽 11. 그림에서 Block의 전체 전압이득[dB]은? ① 10 ② 20 ③ 40 ④ 100 12. 그림 (a)의 두 개의 T 플립플롭 회로에서 Q의 초기 논리값은 ‘0’에서 시작한다. 그림 (b)와 같이 클럭 CLK와 입력 T가 주어질 때, 구간 T3 － T4에서 출력 Q1, Q2의 논리값은? (단, 각 논리 게이트에서 지연은 없다) Q1 Q2 ① 0 0 ② 0 1 ③ 1 0 ④ 1 1 13. p형 Si 반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 다수 캐리어가 정공이다. ② 불순물 도핑 농도가 높을수록 저항률이 증가한다. ③ 순수한 Si에 최외각 전자가 3개인 불순물을 첨가한다. ④ 페르미준위는 진성반도체보다 가전자대역의 최고 에너지준위에 더 가깝게 위치한다. 14. 다음 회로에서 소신호 전압이득의 크기 Vi Vo 를 증가시키는 방법으로 옳은 것은? (단, 트랜지스터 Q는 활성영역에서 동작하고, 교류 출력 저항 ro  ∞, 교류 이미터 저항은 re이다) ① re를 증가시킨다. ② RB를 증가시킨다. ③ RC를 증가시킨다. ④ RE를 증가시킨다. 15. 다음 회로에서 전압이득 Vi Vo 에 가장 가까운 것은? (단, 연산증폭기의 전압이득 A ＝ 3, R2 ＝ 3R1이다) ①   ②   ③   ④   2023년도 국가공무원 7급 공채 제2차 필기시험 전자회로 책형 4쪽 16. 다음 회로에서 컬렉터－이미터 전압 VCE[V]에 가장 가까운 것은? (단, VBE ＝ 0.7 [V]이며, 컬렉터전류는 이미터전류와 같다) ① 3.24 ② 4.94 ③ 6.04 ④ 10.0 17. 다음 회로에서 부하저항 R이 10 [Ω]이고, 입력 전원전압의 실횻값 Vs가 220 [V], 60 [Hz]일 때, 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이다) ① 출력전류 Io의 실횻값은   [A]이다. ② 출력전압 Vo의 평균값은   ×  [V]이다. ③ 출력전압 Vo의 주파수는 120 [Hz]이다. ④ 다이오드 D1에 걸리는 역방향 최대전압은  ×  [V]이다. 18. 다음 회로에서 입력 Vi가 인가될 때, 구간 0 － t1에서 교류 출력 전압 Vo의 피크값[V]에 가장 가까운 것은? (단, VBE ＝ 0.7 [V], VT ＝ 26 [mV],  ＝ 50, C  ∞, 트랜지스터 Q1과 Q2의 모든 특성이 동일하며, 컬렉터전류는 이미터전류와 같다) ① 5.0 ② －5.0 ③ 10.0 ④ －10.0 19. 다음 회로의 등가 임피던스의 크기 ∣Zeqj∣는? ①   RS C    L   LC  RS  ②     LC  RS C    RS L  ③     LC  L  RS C    ④   RS L   LC  RS C    20. 다음 부궤환 시스템의 Hs    p s   p s  A 로 주어질 때, 폐루프 전달함수의 극점(s  s)의 값[rad/s]은? (단, p ＝1 [rad/s], p ＝ 3 [rad/s], A    이다)  s  s ① －1 －1 ② －1 －2 ③ －2 －1 ④ －2 －2 2023년도 국가공무원 7급 공채 제2차 필기시험 전자회로 책형 5쪽 21. 다음 회로에서 RC[kΩ], RE[kΩ]는? (단, ICQ＝2 [mA], VCEQ ＝5.2 [V], VE ＝ 2.4 [V]이며, 컬렉터전류와 이미터전류는 같다) RC RE ① 1.2 1.2 ② 1.2 1.4 ③ 1.4 1.0 ④ 2.4 1.2 22. 논리식 F  ABD ABC  ACD BC AC  ABCD를 아래의 논리회로로 구성할 때, (가)와 (나)의 입력은? (가) (나) ① A D ② A B ③ B D ④ B D 23. 다음 전압 조정기의 Rs에 흐르는 전류 Is[mA]는? (단, VBE1 ＝VBE2 ＝ 0.7 [V], VZ ＝ 5 [V], Vi ＝ 10 [V], Rs ＝ 2 [kΩ]이다) ① 1.0 ② 1.2 ③ 1.5 ④ 1.8 24. 다음은 전송 게이트 ㉠, ㉡과 CMOS로 구성된 순차논리회로이다. 이 회로의 명칭은? (단, 전송 게이트 ㉠의 전송 특성은 C ＝ ‘1’ (C ＝ ‘0’)이면 입력정보가 출력에 전달되고, C ＝ ‘0’(C ＝ ‘1’)이면 입력정보는 출력에 전달되지 못한다. 반면에 전송 게이트 ㉡은 ㉠과 반대의 전송 특성을 가진다) ① D 플립플롭 ② T 플립플롭 ③ JK 플립플롭 ④ RS 플립플롭 25. 다음 버터워스 2차 고역통과필터회로에서 차단주파수 fc[kHz]와 전압이득 Av  Vi Vo 에 가장 가까운 것은? (단, RA ＝ RB ＝ 1.0 [kΩ], CA ＝ CB ＝ 0.5 [F], R R  이고, 연산증폭기는 이상적이다) fc Av ①   1.586 ②   2.706 ③   1.586 ④   2.706