공기출 - 2019 국가직 7급 전자회로 문제 정답

전자회로-가 정답(2021-05-20 / 533.8KB / 356회)

2019년도 국가공무원 7급 공개경쟁채용 필기시험 전자회로 가 책형 1 쪽 전자회로 문 1. 최고 주파수가 15 [kHz]인 음성신호를 나이퀴스트 표본화 주파수로 표본화한 후, 256레벨로 양자화하고, 양자화 레벨을 중첩 없이 최소 비트 수로 이진 부호화하여 펄스부호변조(PCM) 신호를 생성할 때, 이 신호의 전송속도[kbps]는? ① 120 ② 240 ③ 360 ④ 480 문 2. 다음 블록도는 신호 S(t)를 입력받아 협대역 FM 신호를 출력하는 시스템이다. 블록 Ⓐ의 회로도로 옳은 것은? sin  Ⓐ －90 ° cos 협대역 FM 신호 ① ＋－   ② ＋－   ③  ＋－  ④ ＋－   문 3. 다음 논리식과 동일한 논리식은?        ①  ②  ③  ④  문 4. 다음 디지털 논리회로에서 입력이 A, B이고 출력이 F일 경우, 입출력 사이의 논리식이 다른 것은? ①     ②    ③     ④     문 5. 다음 증폭회로에서   을 만족하기 위해서 옳은 것은? (단, MOSFET M은 포화 영역에서 동작하고 은 MOSFET M의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)          ＋－＋－ ①     ②    ③    ④    2019년도 국가공무원 7급 공개경쟁채용 필기시험 전자회로 가 책형 2 쪽 문 6. 3단의 공통 소스(common-source) 증폭기로 이루어진 다음의 링 발진기(ring oscillator) 회로에서 발진이 일어나기 위한 발진 각주파수 wo [rad/s]와 RD의 최솟값[Ω]은? (단, M1, M2, M3는 동일한 MOSFET이고, 은 MOSFET M1, M2, M3의 전달 컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체 효과(body effect)는 무시한다)             wo RD ①      ②      ③      ④      문 7. 다음 회로에서 BJT의 전류이득(β )이 99일 때, 출력전압 VOUT[V]과 제너전류 I Z [mA]는? (단, BJT의 VBE ＝ 0.7 [V]이고 제너 다이오드의 제너전압 VZ ＝ 4.7 [V]이다) Ω     ＋－   Ω  ＋－ VOUT I Z ① 4 4 ② 4 6 ③ 5.4 4 ④ 5.4 6 문 8. 다음 회로에서 정현파인 입력파형(Vin)이 가해진 경우, 정상상태에서 출력파형(Vout)은? (단, 각 다이오드 양단의 순방향 전압은 1 [V],   kΩ,   kΩ이다)     3 －3 －  ＋     ①     1.5 －1.5 ②     1.5 －3 ③     2.5 －3 ④     2.5 －2.5 문 9. 다음 회로에서 전압이득  과 입력저항 RinkΩ은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)   Ω    Ω  －＋   Ω in   Rin ① －5 20 ② －5 30 ③ 5 20 ④ 5 30 문 10. 다음 그림 (a)의 밴드갭 레퍼런스 회로에서 BJT Q1의 전류－전압 곡선은 그림 (b)에 굵은 실선으로 그려져 있으며, 이 Q1은 점 Q에 바이어스 되어 있다. 회로의 온도가 변화하면 Q1의 일정한 지수 기울기를 갖는 전류－전압 곡선의 구간이 이동한다. 회로의 온도가 상승할 때, Q1의 일정한 지수 기울기를 갖는 구간에서의 전류－전압 곡선으로 옳은 것은?              (a)    log   B  D A C (b) ① A ② B ③ C ④ D 2019년도 국가공무원 7급 공개경쟁채용 필기시험 전자회로 가 책형 3 쪽 문 11. 다음 그림 (a)의 회로에서 Q 값은 초기에 ‘0’인 논리 값에서 시작한다. 그림 (b)와 같이 클럭 CLK와 두 개의 입력 R 및 S가 주어질 때, 구간 T3 － T4와 구간 T6 － T7에서 Q의 논리 값은? (단, 각 논리 게이트에서 지연은 없다)      (a) T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8    (b) T3 － T4 구간 T6 － T7 구간 ① 0 0 ② 0 1 ③ 1 0 ④ 1 1 문 12. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳은 것은? ① 게이트 산화막 두께가 얇아질수록 트랜지스터의 전류는 증가한다. ② 드레인－소스 전압에 따라 전류의 크기가 변하는 현상을 몸체효과(body effect)라고 한다. ③ 채널 길이가 짧아짐에 따라 채널길이변조(channel length modulation) 현상은 줄어든다. ④ 게이트－소스 전압이 문턱 전압보다 크고 게이트－드레인 전압이 문턱 전압보다 작을 때 트랜지스터는 선형(linear) 영역에서 동작한다. 문 13. 다음 3단 T 플립플롭으로 이루어진 논리 회로에서 입력 클럭 CLK의 주파수가 800 [MHz]일 때, 출력 신호 Q3의 주파수[MHz]는? 논리 ‘1’               ① 6,400 ② 800 ③ 400 ④ 100 문 14. 다음 회로에서 입력전압 Vin ＝ 10sin(2π × 105t) [V]이고 2πR1C1 ＝ 10－4 [s]일 때, 출력전압 Vout의 첨두간(peak-to-peak) 전압 값[V]으로 가장 가까운 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, 각 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다) ＋－      ＋－＋－  ① 98.6 ② 18.6 ③ 8.6 ④ 3.6 문 15. 다음 증폭기 회로의 전달함수    은? (단, 은 MOSFET M의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)    ＋－     ＋－ ①      ②      ③      ④      문 16. 다음 회로에서 MOSFET이 포화영역에서 동작하기 위한 RD의 최댓값[kΩ]은? (단, MOSFET 문턱전압 Vth＝ 0.8 [V], 공정전달 컨덕턴스 파라미터    ＝200 [μA/V2], 채널폭과 채널길이 비 W/L ＝ 10이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시하고 연산증폭기는 이상적이다) ＋－ 1 V  Ω 10 V ① 2 ② 4 ③ 6 ④ 8 2019년도 국가공무원 7급 공개경쟁채용 필기시험 전자회로 가 책형 4 쪽 문 17. 다음 그림 (a)의 회로는  ∝  특성을 보이는 짧은 채널 N형 MOSFET를 포함한 공통 소스 증폭기이다. 다음 그림 (b)는 이 N형 MOSFET의 전류－전압 특성 곡선을 보인다. 이 공통 소스 증폭기가 Q1점에서 바이어스될 때, 이 증폭기의 전압이득   은? (단, 각 Q1, Q2, Q3, Q4 바이어스 점에서의 드레인 전류는 각각 I D(Q1) ＝ 2.0 [mA], I D(Q2) ＝ 2.2 [mA], I D(Q3) ＝ 7.4 [mA], I D(Q4) ＝ 7.8 [mA]이다)     (a) Q1        0.6 1.0     Q2 Q3 Q4 (b) ① 9 ② 18 ③ 27 ④ 36 문 18. 다음 전류미러(current-mirror) 회로에서 MOSFET M1, M2, M3, M4의 채널폭은 각각 W1, W2, W3, W4로 주어질 때, I 4 ＝ 2I 1 조건을 만족하지 않는 것은? (단, M1, M2, M3, M4는 채널폭을 제외하고 동일한 MOSFET이며, 모든 MOSFET은 포화영역에서 동작하고 채널길이변조(channel length modulation)는 무시한다)            ① W2 ＝ W1, W4 ＝ 0.5W3 ② W2 ＝ 2W1, W4 ＝ W3 ③ W2 ＝ 0.5W1, W4 ＝ 4W3 ④ W2 ＝ 4W1, W4 ＝ 0.5W3 문 19. 다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, M1과 M2는 동일한 MOSFET이고, 은 MOSFET M1과 M2의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)             ① 발진하기 위한 저항 조건은    이다. ② 이 발진기의 발진 주파수는    이다. ③ 병렬 LC 탱크를 이용한 교차 결합 발진기이다. ④ LC 부하를 가진 증폭기 2개로 구성되며 발진하기 위한 하나의 증폭기에서의 위상변화는 180도이다. 문 20. 다음 회로에서 전달 임피던스    의 양호도(quality factor) Q는? (단, 연산증폭기는 이상적이다) －＋      in ①   ②     ③       ④     