2017 국가직 9급 전자공학개론 문제 정답 - 2017.4.8.

 

전자공학개론-나정답국가직 9급 최종 정답.pdf사복직 9급 최종 정답.pdf(2021-05-10 / 353.7KB / 458회)

 

 전자공학개론 나 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. 다음 회로 중에서 출력 Z가 1이 되는 회로는? (단, X ＝0, Y＝1 이다) ① Y Y Z X ② Z Y X ③ Z Y X ④ Y Y Z X 문 2. 입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 신호의 전력[W]은? ① 0.74 ② 0.94 ③ 7.4 ④ 9.4 문 3. 다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo 사이의 관계식은? (단, op-amp는 이상적이다) － ＋ V2 V1 Vo 2 R R ① Vo＝3 V1 －2 V2 ② Vo＝2 V1 －3 V2 ③ Vo ＝V1 － 2 3 V2 ④ Vo ＝ 2 3 V1 －V2 문 4. 다음 증폭기 회로에서 C2가 추가됨에 따라 생기는 변화는? R1 R3 R2 R4 C1 C2 Q1 Vo Vi VCC ① 출력 Vo의 DC 전압이 내려간다. ② 출력 Vo의 DC 전압이 올라간다. ③ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 감소한다. ④ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 증가한다. 문 5. 다음 DTL(Diode-Transistor Logic)로 설계된 디지털 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 입력 X, Y의 논리레벨 1은 VCC ＝ 5 V, 논리레벨 0은 0 V이다) X Y Z R2 R1 R3 VCC ① AND ② OR ③ NAND ④ NOR 문 6. 드레인 전류(I D)와 게이트－소스 전압(VGS)의 관계식이 ID ＝9 ＋ 19(VGS－1) ＋10(VGS－ 1)2 [mA]인 N형 MOSFET에서 VGS＝ 1 [V]일 때, 소신호 모델 전달컨덕턴스(transconductance) [mA/V]는? ① 9 ② 10 ③ 19 ④ 29 문 7. 다음 회로에 입력전압이 Vi일 때 출력전압 Vo는? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적이다) Vi －10 V 10 V t Vi 2 V VZ ＝ 5 V Vo R 2 V VZ ＝ 5 V ① t Vo －7 V 7 V ② Vo －2 V 7 V t ③ t Vo －7 V 2 V ④ t Vo －2 V 2 V 전자공학개론 나 책형 2 쪽 문 8. 다음 중 대역통과필터 특성을 보이는 회로로만 묶은 것은? ㄱ. ＋ － ＋ Vo R2 Vi R1 C ㄴ. ＋ － ＋ Vo V R2 i R1 L C ㄷ. ＋ － ＋ Vo R2 Vi R1 C L ㄹ. Vi ＋ － ＋ Vo R2 R1 C L ① ㄱ, ㄷ ② ㄱ, ㄹ ③ ㄴ, ㄷ ④ ㄴ, ㄹ 문 9. 공진주파수가 fo인 R, L, C 직렬회로에 주파수가 2 fo인 입력신호를 인가하였을 때, 총 리액턴스 성분의 크기가 저항 R 값의 15배가 된다. 이 회로의 Qo(quality factor)는? ① 5 ② 10 ③ 15 ④ 20 문 10. 입력 전압 36 [V]에 연결된 발열선의 발열량이 1 [kW]이다. 동일한 재료로 단면의 지름을 두 배로 늘리고, 길이를 반으로 줄여 만든 발열선에 동일한 전압을 인가했을 때, 발열량[kW]은? ① 4 ② 6 ③ 8 ④ 10 문 11. 논리식 F(W, X, Y) ＝ WXY＋ WX ＋ WXY에 대한 진리표는? ① W X Y F 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 ② W X Y F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 ③ W X Y F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 ④ W X Y F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 문 12. 다음 D 플립플롭에서 출력 Q의 동작은? (단, D 플립플롭은 하강에지에서 동작하고 Q의 초기값은 0이다) ① ② ③ ④ Q Q Q Q CLK Data Data CLK D Q C 문 13. 무선 통신에서 전송하고자 하는 신호를 변조하는 이유로 옳은 것만을 모두 고른 것은? ㄱ. 안테나의 길이를 축소할 수 있다. ㄴ. 채널에 유입되는 잡음을 줄일 수 있다. ㄷ. 다중 통신이 가능하다. ㄹ. 주파수 효율을 높일 수 있다. ① ㄴ, ㄷ ② ㄱ, ㄴ, ㄷ ③ ㄱ, ㄷ, ㄹ ④ ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ 전자공학개론 나 책형 3 쪽 문 14. 다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? p-sub n-well n+ p+ p+ SiO2 보디(몸체) 소스 게이트 드레인 ① 선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다. ② 선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트(drift) 현상에 의한다. ③ P채널 증가형 MOSFET이다. ④ CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다. 문 15. PCM(Pulse Code Modulation) 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 샘플링된 신호에 이산적인 값을 할당하는 양자화와 펄스 부호로 변환하는 부호화가 필요하다. ② 양자화 레벨 수가 증가하면 양자화 오차가 늘어난다. ③ 디지털전송신호 방식으로 원거리통신에 중계기의 사용이 가능하다. ④ 아날로그 방식보다 잡음 및 왜곡의 영향에 강한 장점이 있다. 문 16. 다음은 비안정 모드로 동작하는 555 타이머 회로이다. 출력신호 Vo에 대한 듀티 사이클(duty cycle)[%]은? THRESH OUT DISCH TRIG CONT RESET VCC GND 555 5.5 V R1 5  R2 10  Cext 0.01  C1 0.01  Vo ① 60 ② 65 ③ 70 ④ 75 문 17. 실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다) ① 게이트 산화막의 두께를 줄인다. ② 소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다. ③ 유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다. ④ 실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다. 문 18. 다음 회로는 연산증폭기를 이용한 정전압조정기이다. 출력전압 Vo [V]는? ＋ － VZ ＝ 2.5 V 8 V Vo 4.7 4.7 560 ① 2.5 ② 4.7 ③ 5 ④ 8 문 19. 다음 바이어스 회로의 동작점에서 컬렉터 전류 ICQ [mA]는? (단, VBE ＝ 0.7 [V]이다) Vi Vo hfe ＝ 100 10.7 V 0.3  70  C1 C2 ① 2 ② 5 ③ 10 ④ 15 문 20. 다음 회로의 주파수 전달함수(Transfer Function)   는? ＋ －    ＋ －   ①     ②     ③     ④    