전자공학개론(인)정답(2021-04-04 / 289.7KB / 264회)
전자공학개론 인 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. PLL(위상동기루프) 주파수 합성기의 기본 구성 요소로서 옳지 않은 것은? ① 전압제어발진기 ② 위상검출기 ③ 주파수변별기 ④ 저역통과필터 문 2. 다음의 로직함수 F와 동일한 것은? F AB CABC ABCABC ① AB AC ② ABAC ③ ABAC ④ AB AC 문 3. 어떤 단상 회로에 220 Vrms 전압이 걸릴 때 10 Arms의 전류가 흐르고, 전류가 전압보다 60°의 위상이 뒤진다고 할 때 회로에서 소비되는 전력으로 옳은 것은? ① 2,200 W ② 1,600 W ③ 1,100 W ④ 800 W 문 4. 플립플롭과 래치의 차이점에 대한 설명으로 옳은 것은? ① 플립플롭은 입력이 0일 때, 래치는 입력이 1일 때 토글된다. ② 플립플롭은 클락에 동기되나, 래치는 클락에 동기 되지 않는다. ③ 플립플롭은 negative edge, 래치는 positive edge에서 동작이 일어난다. ④ 플립플롭은 에지트리거 동작을 하고, 래치는 레벨트리거 동작을 한다. 문 5. 일반적인 선형 정전압 조정기와 비교했을 때, 스위칭 정전압 조정기의 장점이 아닌 것은? ① 효율이 높다. ② 잡음이 적다. ③ 작은 변압기를 사용할 수 있다. ④ 낮은 전압에서 큰 부하전류를 공급할 수 있다. 문 6. 다음 그림과 같이 이상적인 연산증폭기를 이용한 회로에서 출력 전압 V로서 옳은 것은? - + + - V k k k k + V - ① 12 V ② - 12 V ③ 18 V ④ - 18 V 문 7. 다음 회로의 입력 V1과 V2가 그림과 같이 동일한 경우 출력 파형 으로 옳은 것은? V V V t 2 1 -1 - + + - - + R R R R R R R V V V ① V V t 2 1 -1 3 -2 -3 ② V V t 2 1 -1 3 -2 -3 ③ V V t 2 1 -1 3 -2 -3 ④ V V t 2 1 -1 -2 -3 -4 문 8. 진성 실리콘에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 진성 실리콘이 열에너지를 얻으면 일부 가전자는 자유전자가 된다. ② 진성 실리콘에는 4개의 가전자가 있다. ③ 진성 실리콘에서 온도 상승에 의해 생성된 전자와 정공의 수는 같다. ④ 진성 실리콘에 안티몬을 넣으면 전기 전도성이 감소한다. 문 9. 다음 회로에서 각 노드의 전압이 그림과 같이 측정되었다면 트랜지스터의 전류이득 값으로 옳은 것은? V V k V ① 99 ② 89 ③ 109 ④ 79 전자공학개론 인 책형 2 쪽 문 10. 아래 회로의 기능을 가장 잘 표현한 것은? V - + R R R V V ① 첨두값을 검출하는 회로 ② 입력 전압을 추종하는 회로 ③ 교류를 직류로 만드는 회로 ④ 두 개의 안정한 상태를 갖는 회로 문 11. 어떤 이진 시스템이 640 × 480 해상도 화면을 디스플레이하기 위하여 1024개의 색상 중 어느 하나를 갖는 그림(picture) 데이터를 초당 10개씩 전송한다면, 이 시스템에 요구되는 비트율(bit rate)에 가장 근사한 값은? ① 3,145.7 Mbps ② 314.5 Mbps ③ 3.07 Mbps ④ 30.72 Mbps 문 12. 광섬유 케이블을 사용한 통신 시스템의 특징을 구리 동축케이블을 사용한 통신 시스템과 비교하여 설명한 것으로 옳지 않은 것은? ① 전송매체의 대역폭이 크므로 데이터 전송율이 높다. ② 케이블의 지름이 작고 탭을 내기가 좋아 다루기 편리하다. ③ 외부의 전자기장에 영향을 받지 않아 간섭에 둔감하다. ④ 리피터의 설치 수가 상대적으로 적어 리피터 설치 비용이 절감 되고, 에러원이 감소된다. 문 13. 다음 회로의 Vo-Vi 특성곡선으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 문턱전압은 0 [V]이다) - + Vi Vo R R R R V ① Vo V Vi V 5 5 0 ② Vo V Vi V 5 10 0 ③ Vo V Vi V 5 5 0 ④ Vo V Vi V 10 0 10 문 14. MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차(), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 의 변화 로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다) ① P형 MOS는 증가하고, N형 MOS도 증가한다. ② P형 MOS는 감소하고, N형 MOS도 감소한다. ③ P형 MOS는 감소하고, N형 MOS는 증가한다. ④ 변하지 않는다. 문 15. 공핍영역의 두께가 역방향 바이어스 전압에 의해 변하는 특성을 이용하여 전자동조회로에 사용되는 다이오드는? ① 터널 다이오드 ② 제너 다이오드 ③ 버랙터 다이오드 ④ 발광 다이오드 문 16. 다음 그림은 OP 앰프를 이용한 연산회로이다. 주어진 입력신호에 대응되는 정상상태의 출력신호로서 가장 적합한 것은? (단, Cf의 초기전압은 0 [V]이다) - + R Vi Vo Rf Cf Vi 0 t t Vo 0 0 t 0 t 0 t 입력신호 ① ② ③ ④ Vo Vo Vo 전자공학개론 인 책형 3 쪽 문 17. 다음 회로에서 연산증폭기가 이상적이라고 가정할 때 Vo값으로 옳은 것은? + - + - R R Vo Vi ① Vo Vi ② Vo R R Vi ③ Vo R R Vi ④ Vo RR Vi 문 18. 다음 왼쪽 회로를 오른쪽과 같이 표현하였을 때 이를 이용하여 반가산기의 합(sum) 비트를 구현한 회로로 옳은 것은? VCC R R Q Q F A B gate A B F ① gate gate gate gate gate A A B F ② gate A gate gate B gate A B F ③ gate gate gate gate A A B F ④ gate gate gate gate gate A B B A F 문 19. 다음 카르노맵을 간략화하여 나타낸 부울방정식 중 옳지 않은 것은? CD AB 00 01 11 10 00 1 1 0 1 01 1 1 0 1 11 1 1 0 0 10 1 1 0 1 ① Y=C+AC D+AB D ② Y C AC DABC D ③ Y C ADC D ④ Y C AD BC D 문 20. 다음 주파수 영역 전달함수의 임펄스응답 로서 옳은 것은? ① ② ③ ④