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전자회로_7급(최종)
정답(2023-07-16 / 464.6KB / 278회)
전자회로(7급) 6 - 1 전 자 회 로 ( 7급 ) (과목코드 : 093) 2023년 군무원 채용시험 응시번호 : 성명 : 1. 다음의 트랜지스터에서 전류이득(current gain) β는 100이라고 한다. 베이스 전류 IB 가 1[μA] 라고 하면 Y노드의 전압은? ① 2.0[V] ② 1.8[V] ③ 1.5[V] ④ 1.0[V] 2. 다음의 회로에서 트랜지스터의 전류이득(current gain) β는 100 으로 가정하며, 2[kΩ]의 저항과 2[μA]의 전류원이 연결되었다고 가정한다. 베이스 의 전압으로 올바른 것은? ① 0.8[V] ② 1.4[V] ③ 2.0[V] ④ 2.1[V] 3. 다음의 트랜지스터 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 일반적인 NMOS 트랜지스터 구조이다. ② 게이트와 p-Substrate 사이에는 전류가 흐르지 못하도록 SiO2 가 존재한다. ③ p-Substrate를 VDD에 연결해서 바디효과 (body effect)를 방지하게 된다. ④ 게이트와 소스 사이의 전압이 높아지면 채널 이 형성되며 전류가 흐를수 있는 조건이 만들어 진다. 4. 다음의 회로에 두 주기 신호 A와 B가 인가되고 있다. 전원 전압 VDD가 3V이고, 부하저항 R이 1kΩ일 때, 0 < t < 8ms 동안 회로에서 소비되 는 평균 전력은 얼마인가? (단, 트랜지스터의 온 저항은 부하저항에 비해 매우 작으며, 기생커패 시턴스는 무시한다.) ① 5.00[mW] ② 7.75[mW] ③ 10.0[mW] ④ 2.25[mW] 전자회로(7급) 6 - 2 5. 다음의 회로에서 Iout 전류의 값으로 올바른 것은? (단, 바이어스 전류인 IREF 는 1mA이고, M1의 W/L 비율은 1, M2의 W/L 비율은 2, M3 의 W/L 비율은 4, M4의 W/L 비율은 4로 설 계되었다고 가정한다.) ① 0.5[mA] ② 2[mA] ③ 4[mA] ④ 8[mA] 6. 다음의 회로에서 저항은 모두 10[kΩ] 이고, 저항도 10[kΩ]으로 설계되었다. 가 모두 0.1[V] 라고 할 때 Vout 전압으로 올바른 것은? ① - 0.4[V] ② - 0.2[V] ③ 0.1[V] ④ 0.4[V] 7. 다음 회로에서 입력 전압 (a) = 4[V], (b) = 7[V] 일 때, 출력 전압 [V]에 가장 가까운 것은? (단, D1~D4 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V], Z는 6.8V 제너 다이오드이다.) ① (a) = 4[V] (b) = 8.2[V] ② (a) = 5.4[V] (b) = 7[V] ③ (a) = 4[V] (b) = 7[V] ④ (a) = 5.4[V] (b) = 8.2[V] 8. 다음 회로에서 트랜지스터 Q2의 컬렉터 전압 Vo = 1[V]일 때, 저항 R1과 전류 I 2의 값으로 올바른 것은? (단, Q1, Q2의 |VBE |=0.7[V], αDC≃1, 얼리 전압 VA=∞로 가정한다.) ① R1 = 20[㏀], I 2 = 0.2[㎃] ② R1 = 40[㏀], I 2 = 0.1[㎃] ③ R1 = 15[㏀], I 2 = 0.3[㎃] ④ R1 = 80[㏀], I 2 = 0.1[㎃] 전자회로(7급) 6 - 3 9. 다음 연산증폭기 회로에서 입력신호에 대한 출력 신호 는?(단, 연산증폭기는 이상적이다) ① ② ③ ④ 10. 다음 귀환 증폭기에서 , 는 0보다 큰 실수이다. 발진주파수()와 발진이 되는 의 값으로 올바른 것은? ① [㎒], [V/V] ② [㎒], [V/V] ③ [㎒], [V/V] ④ [㎒], [V/V] 11. 다음 회로의 입력전압 υI (t)=10 sin(377t)[V]일 때, 10[kΩ] 저항에 전달되는 한 주기 평균전력 으로 올바른 것은? (단, t는 시간(초), 다이오드는 이상적이라고 가정한다) ① 1[㎽] ② 2.5[㎽] ③ 5[㎽] ④ 10[㎽] 12. n-채널 MOSFET은 포화영역(saturation region)에서 ′ 이다. 아래 회로에서 가 2.5V가 되도록 의 값을 정하시오. (단, ′ A/V 2 , n-MOSFET 문턱전압 V) ① 10 ② 15 ③ 20 ④ 30 전자회로(7급) 6 - 4 13. 다음 회로에서 M0 와 M3 트랜지스터들의 사용 목적으로 가장 옳은 것은? ① Early effect를 방지한다. ② 회로의 파워소모를 감소시켜서 발열현상을 완화시켜준다. ③ 바디 효과(body effect)를 방지한다. ④ Channel-length modulation 현상을 완화시켜 준다. 14. 다음 증폭기에서 저항 R에 흐르는 전류의 크기 가 5[㏀] 저항에 흐르는 전류의 5배가 되도록 하 는 저항 R의 값으로 올바른 것은?(단, 연산증폭 기는 이상적이라고 가정한다.) ① 4 [㏀] ② 2 [㏀] ③ 1 [㏀] ④ 0.5 [㏀] 15. 다음 증폭기의 폐루프 전압 이득이 와 같을 때, β 의 표현식으로 올바른 것은? (단, 연산증폭기는 유한한 이득을 갖는 것 이외에는 이상적이라고 가정한다.) ① ② ③ ④ 16. 다음 회로에서 입력저항 Rin의 값으로 올바른 것은 무엇인가? (단, =2kΩ, =300Ω, β=100이다.) ① 2.3[kΩ] ② 230[kΩ] ③ 32.3[kΩ] ④ 0.023[kΩ] 전자회로(7급) 6 - 5 17. 다음과 같은 직렬 회로 구성에서 의 값을 구하라. ① ② ③ ④ 18. 연산증폭기(Op amp) 회로에서 슬루잉(slewing)이 있을 경우에 관찰될 수 있는 현상으로 가장 적절한 설명은? ① 출력전압이 불안정해지고 발진할 수 있다. ② 발열이 매우 심해질 수 있다. ③ 출력전압이 직선처럼 변하는 것이 관찰될 수 있다. ④ 출력전압이 특정 DC 전압으로 고정된 채 변 하지 못한다. 19. 다음 증폭기의 전압이득( )으로 옳은 것은? (단, 는 의 트랜스 컨덕턴스이며, 채널길이 변조효과는 무시한다.) ① ② ③ ④ 20. 아래 표의 카르노맵에 대한 논리식으로 옳은 것은? ① ′ ′ ② ′ ′ ③ ′ ④ ′ 21. 다음 회로에서 BJT의 전류증폭상수를 β=100 이라 하였을 때, reference current 에 대한 출력전류 Io의 관계 ( )는 근사적으로 어 떻게 되는가? ① 0.98 ② 1.03 ③ 1.08 ④ 1.13 22. 아래 회로에서 의 값으로 올바른 것은? (단, V, BJT의 공통이미터 전류이득: =99) ① 2.3[V] ② 2.7[V] ③ 3.3[V] ④ 3.7[V] AB CD 00 01 11 10 00 1 1 1 1 01 1 0 0 1 11 1 1 1 1 10 1 1 1 1 전자회로(7급) 6 - 6 23. 다음 회로에서 diode의 cut-in 전압은 0.5[V], 순방향 등가저항은 500[Ω], 역방향등가저항은 무한대이고, ==1[kΩ]이다. 입력 =2[V] 일 때의 출력 는 근사적으로 얼마인가? ① 1[V] ② 1.25[V] ③ 1.4[V] ④ 1.5[V] 24. 다음 회로의 동작에 대하여 가장 옳게 설명한 것은 무엇인가? ① 전압이득은 (1+R2/R1)이다. ② Negative feedback으로 동작한다. ③ 전압이득은 (-R2/R1)이다. ④ 입력으로 sinusoidal 파형을 제공하면 출력으 로 pulse 파형을 발생한다. 25. 다음 회로에서 =1[V], =2[V]일 때 출력전 압은 근사적으로 얼마인가? (단, Op amp는 이상적이고, ∙ ∙ ∙ 이다.) ① 1.25[V] ② 1.43[V] ③ 1.72[V] ④ 1.87[V]
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