2023 군무원 9급 전자공학 문제 정답 - 2023.7.15.

 

전자공학_9급(최종)정답(2023-07-16 / 381.5KB / 964회)

 

 전자공학(9급) 4 - 1 전 자 공 학 ( 9급 ) (과목코드 : 092) 2023년 군무원 채용시험 응시번호 : 성명 : 1. 아래 모양과 같은 원기둥 모양 철사의 양끝을 잡아당겨 길이를 3배로 늘렸다. 길이를 늘려도 원래의 원기둥 단면의 모양은 유지되며, 재질의 특성과 부피 또한 변함없다고 가정할 때 철사의 저항값은 어떻게 되는가? ① 1배로 변함 없다. ②   배로 감소한다. ③ 3배로 증가한다. ④ 9배로 증가한다. 2. 다음 중 커패시터와 인덕터에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 커패시터와 인덕터 모두 에너지를 저장할 수 있는 소자이다. ② DC 정상상태(Steady State)에서 커패시터는 단락회로(Short-Circuited)처럼 동작하고, 인덕터는 개방회로(Open-Circuited)처럼 동작한다. ③ 충전된 커패시터에 전원을 끊게 되면 실제로는 커패시터에 매우 적은 누설전류가 흐르게 되어 시간이 지남에 따라 충전된 전하량이 줄어든다. ④ 인덕터 양단의 전압은 인덕터에 흐르는 전류의 변화율에 비례한다. 3. JK플립플롭에서 마스터-슬레이브 구조가 필요한 이유로서 가장 옳은 것은? ① 입출력의 충돌을 막기위해 ② 고속동작을 위해 ③ 전력소모의 최소화를 위해 ④ 스케일의 최소화를 위해 4. 다음과 같이 저항과 연산증폭기가 연결된 회로에 대해 입력전압    와 출력전압  사이의 설명으로 가장 알맞은 것은? (단, 문제 회로의 연산증폭기는 이상적이라고 가정) ①      인 가산기 ②       인 가산기 ③      인 감산기 ④       인 감산기 5. 아래 그림 (a)와 (b)의 직렬  회로의 출력에 가장 가까운 특성의 필터로 바르게 연결한 것은? ① (a) 저역통과필터, (b) 고역통과필터 ② (a) 고역통과필터, (b) 저역통과필터 ③ (a) 대역통과필터, (b) 대역차단필터 ④ (a) 대역차단필터, (b) 대역통과필터 전자공학(9급) 4 - 2 6. 아래 그림과 같이 실효전압 100[V]인 교류전원에 20[Ω]의 저항과 유도성 리액턴스 20[Ω]인 인덕터를 직렬로 연결하였다. 전기회로에 공급되는 유효전력은 얼마인가? ① 100[W] ② 200[W] ③ 250[W] ④ 500[W] 7. 다음 중 PN 접합 다이오드에 대한 설명으로 가장 옳은 것은? ① 다이오드에 전압을 인가하지 않은 열적 평형 상태에서도 N 영역의 전자가 P 영역으로 이동하는 것을 방해하는 전위장벽이 형성된다. ② 역방향 바이어스를 인가하면 공핍층의 전위장벽이 작아진다. ③ 순방향 바이어스를 인가하면 공핍층의 폭이 넓어진다. ④ P형과 N형의 불순물의 농도가 높을수록 공핍층의 폭은 넓어진다. 8. 다음 중 MOSFET의 성질에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 소스와 몸체(body substrate) 사이에 역방향 바이어스를 걸어주면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다. ② 산화물(oxide)층의 두께가 증가하면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다. ③ 몸체(body substrate)의 도핑을 높이면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다. ④ 온도가 올라가면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다. 9. 다음 중 Ge(게르마늄)과 Si(실리콘) 반도체에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① Ge 진성반도체가 Si 진성반도체보다 정공과 전자의 밀도가 낮다. ② Si의 밴드갭()이 Ge의 밴드갭보다 크다. ③ Si 결정이 Ge 결정보다 강하다. ④ Ge과 Si 모두 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크다. 10. 다음 공핍형 MOSFET으로 구성된 회로의 전압이득은? (단,     ,    ) ① 1 ② 5 ③ 10 ④ 20 11. 다음 중 B급 전력증폭기에 대한 설명으로 가장 옳은 것은? ① A급에 비해 효율이 낮다. ② A급에 비해 고출력의 증폭기 제작이 용이하다. ③ A급에 비해 선형성이 높다. ④ A급에 비해 무신호 시에 전력소모가 높다. 12. 정격용량이 5[V], 6,000[mAh]인 보조배터리를 이용하여 5[V], 3[W]인 휴대용 선풍기를 사용하려고 한다. 사용하기 전 보조배터리는 완전 충전되어 있으며, 휴대용 선풍기 자체의 배터리에는 전혀 저장되어 있는 에너지가 없다고 할 때, 보조배터리를 통해 이론적으로 휴대용 선풍기를 사용할 수 있는 최대 시간은 얼마인가? (단, 선풍기의 동작 외에 소모되는 에너지는 전혀 없다고 가정) ① 5시간 ② 10시간 ③ 20시간 ④ 30시간 13. 아래 회로에서   를 구하시오. (단,   [V], =100.) ① 2[V] ② 2.4[V] ③ 3[V] ④ 3.6[V]   전자공학(9급) 4 - 3 14. 다음 회로가 나타내는 게이트는? (단, 4개의 MOSFET은 모두 증가형이다.) ① NAND ② NOR ③ NOT ④ AND 15. 다음 그림의 최대피크 출력전압()과 최대피크 전류값()을 나타낸 것으로 가장 알맞은 것은? ① 10[V], 1[A] ② 10[V], 0.5[A] ③ 20[V], 1[A] ④ 20[V], 2[A] 16. 다음 중 공통이미터 증폭기 특성으로 가장 옳지 않은 것은? ① 출력신호와 입력신호의 위상이 동일하다. ② 동작점에 따라 전압이득이 변한다. ③ 부하의 크기에 따라 전압이득이 변한다. ④ 온도에 의해 전압이득이 영향을 받는다. 17. 아래의 회로에서 에 최대의 전력이 전달되기 위한 의 값은? ① 2[K ] ② 10[K ] ③ 25[K ] ④ 50[K ] 18. 다음 회로에서 5[V] 제너다이오드가 있는 회로에서 부하에 허용되는 최소값으로 가장 적절한 것은? (단,   ,    ,   이며,    이다.) ① 3[K ] ② 2[K ] ③ 1[K ] ④ 500[ ] 19. 아래의 회로에서   sin[V] 일 때, 출력전압 의 실효값으로 가장 알맞은 것은? (단, 다이오드는 이상적이다.) ① 7.07Vrms ② 10Vrms ③ 14.14Vrms ④ 20Vrms  전자공학(9급) 4 - 4 20. 완전히 방전되어 있던 같은 용량의 커패시터 세 개를 15[V] 배터리와 아래와 같이 연결하였을 때 절점(node) A의 전압으로 가장 알맞은 것은? ① 5V ② 6V ③ 10V ④ 12V 21. 아래 이미터 공통 증폭기의 소신호 입력저항 Rin으로 가장 알맞은 것은? (단, Q는 활성영역에 있고 Q의 소신호 등가회로의 는 ∞이다.) ①        ②       ║ ③        ④        ║ 22. 변압기의 권선비가 10:1이라고 가정하고 1차 권선에 100Vrms인 교류전압이 인가될 때 2차 권선에 나타나는 최대전압은? ① 10[V] ② 14.14[V] ③ 100[V] ④ 141.4[V] 23. 아래 카르노맵에 대한 논리식으로 가장 알맞은 것은? ①      ②    ′   ③      ′ ④    ′   ′ 24. 아래 그림과 같은 스위치 회로에서 스위치가 열린 상태를 0, 스위치가 닫힌 상태를 1로 나타내며, 전구가 켜지는 동작을 부울 변수 F로 나타낼 때, 이 회로를 표현하는 가장 가까운 논리게이트는 무엇인가? ① OR ② AND ③ NOR ④ NAND 25. 2의 보수를 이용하여 다음 2진수의 뺄셈을 수행할 때, □안에 들어갈 숫자를 모두 더하면 얼마인가? 1110100–0011011=10□□□□□ ① 1 ② 2 ③ 3 ④ 4 AB CD 00 01 11 10 00 1 1 1 1 01 1 0 0 1 11 1 0 0 1 10 1 1 1 1