9급_전자회로정답(2022-07-16 / 557.5KB / 616회)
전자회로(9급) 6 - 1 전 자 회 로 ( 9급 ) (과목코드 : 093) 2022년 군무원 채용시험 응시번호 : 성명 : 1. 다음 반도체에 관한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 반도체에 도핑을 하면 진성 반도체에 비하여 저항이 커진다. ② 반도체와 금속 사이에 옴성 접촉(ohmic contact)을 만들기 위해서는 반도체에 높은 농도로 도핑을 한다. ③ SiC와 같이 밴드갭이 큰 반도체는 고온에 동작하는데 유리하다. ④ 절대온도 0K에서 순수한 결정질(crystalline) Si의 가전자대(valence band)는 전자로 채워져 있다. 2. 그림은 CMOS 인버터를 나타낸다. 이에 관한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, V 은 M1의 문턱전압을 의미한다. 또, t 및 t는 H → L 및 L → H로 출력 상태가 바뀔 때의 지연시간을 의미한다.) ① 다른 조건이 같을 때 V이 높아지면 인버터의 스위칭 전압이 높아진다. ② 다른 조건이 같을 때 V이 커지면 t이 길어진다. ③ 다른 조건이 같을 때 M1의 크기 (W /L )이 커지면 인버터의 스위칭 전압이 높아진다. ④ 다른 조건이 같을 때 M2의 크기 (W /L )가 작아지면 t가 길어진다. 3. 다음 pn접합에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? ① 순방향 바이어스가 증가하면 전류가 전압에지수함수적으로 증가한다. ② 역방향 바이어스가 증가하면 접합 커패시턴스가 감소한다. ③ 평형상태에서 공핍층 안의 정공의 농도는n영역의 정공의 농도보다 작다. ④ 평형 상태에서 n영역의 전위는 p영역의전위보다 높다. 4. 다음 중 MOS에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① PMOS에서는 소스에서 드레인 방향으로전류가 흐른다. ② PMOS에서는 정공의 확산 현상에 의해전류가 흐른다. ③ NMOS에서는 드레인의 전위가 소스의전위보다 높다. ④ NMOS에서 문턱전압이 높을수록 전류는작아진다. 5. 다음 회로에서 = , (W/L) = (1/0.1), |V | = 0.5V일 때, 의 드레인 전류 I 을 구하시오. ① 50μA ② 200μA ③ 2.45mA ④ 3.20mA 전자회로(9급) 6 - 2 6. 다음 회로는 고주파 하이브리드- 모델이다. 단위 이득대역폭( )의 식으로 옳은 것은? (단, 트랜스컨덕턴스 이고, 는 E-B 간 접합용량( )과 확산용량( )의 합, 는 C-B간 접합용량을 나타낸다.) ① ② ③ ④ 7. 다음 회로에서 각 저항 k, k, k이고, 각 입력전압 V, V일 때, 출력전압 를 구하시오. (단, 연산증폭기는 이상적이다.) ① 12 ② 24 ③ 32 ④ 48 8. 어떤 선형 시불변 시스템의 라플라스 영역전달함수가 H(s)=1/(s+2)이다. 이 시스템에 아래x(t)의 입력이 가해질 때, 출력 y(t)로 가장옳은 것을 고르시오. x(t) ① ② ③ ④ y(t) y(t) y(t) y(t) 9. 다음 회로에서 다이오드에 흐르는 전류 을구하시오. (단, 다이오드의 순방향 전압 V = 0.8V이다.) ① 0.4mA ② 0.7mA ③ 1.1mA ④ 1.5mA 전자회로(9급) 6 - 3 ① ② ③ ④ 10. 다음의 연산증폭기를 사용한 회로 중에서 V = 3V인 것으로 가장 옳은 것을 고르시오. (단, 연산증폭기는 이상적이다.) ① ② ③ ④ 11. 다음의 MOS 차동쌍에서 M과 M사이의 매칭 은 완벽하지만, R은 R보다 약간 크다고 한다. 이 때 이 차동쌍의 입출력 특성으로 가장 옳은 것은? 12. 다음 회로를 테브난 등가로 나타냈을 때의등가전압 V 와 등가 저항 R를 구하시오. ① V = 3V, R = 2k ② V = 4.5V, R = 2k ③ V = 3V, R = 1.2k ④ V = 4.5V, R = 1.2k 13. 다음 그림의 회로에서 출력 신호의 주파수를구하는 식으로 옳은 것은? (단, 단위는 Hz이다.) ① ② ③ ④ 전자회로(9급) 6 - 4 14. 다음 회로에서 1차 측 전압이 sin 일 때, 첨두(peak) 출력전압 에 가장 근사한 값을 구하시오. (단, 권선비 이고, 다이오드 순방향 전압 강하 0.7V를 고려한다.) ① ② ③ ④ × 15. 주파수가 증가함에 따라 이득 감쇠를 나타내는 특성곡선의 기울기가 -40dB/decade인 경우 이 것과 동일한 기울기를 표시하는 것으로 가장 옳은 것은? ① -3dB/octave ② -6dB/octave ③ -12dB/octave ④ -24dB/octave 16. 다음 RC결합증폭기의 주파수 응답에 대한 설명 중 가장 옳은 것은? ① 트랜지스터의 내부 커패시터는 주로 저주파 응답에 영향을 준다. ② 증폭기의 결합 커패시터는 주로 고주파 응 답에 영향을 준다. ③ 임계주파수는 중간영역의 전압이득 보다 10dB 낮은 곳이다. ④ 중간영역 값의 70.7% 전압이득 감소는 3dB 감소하는 것이다. 17. 다음 에지에서 트리거되는 D-플립플롭을 사용한회로에서 그림과 같이 입력이 들어갈 때, 출력Q의파형으로 옳은 것은? 18. 어떤 n채널 증가형 MOSFET에서 V일 때, 문턱 전압 V이고 드레인 전류 mA이었다. V에 대한 드레인전류 를 구하면 약 몇 mA인가? ① 27.2 ② 54.4 ③ 108.8 ④ 127.2 19. 다음은 이상적 연산증폭기(OP AMP) 특성을설명한 것이다. 이 중 가장 옳지 않은 것은? ① 개방 루프(open loop) 전압 이득은 영(0)이다. ② 입력 저항은 무한대이고, 출력 저항은 영(0)이다. ③ 단위 이득(unity gain) 주파수는 무한대이다. ④ 입력 오프셋(input offset) 전류 또는 전압은영(0)이다. ① ② ③ ④ 전자회로(9급) 6 - 5 20. BCD 코드 - 7 세그먼트(segment) 디스플레이 코드 변환기를 설계하고자 한다. 세그먼트 g에 대한 식으로 옳은 것은? (단, BCD 코드 ‘ABCD’에서 A 비트는 MSB이다.) ① g = ② g = ③ g = ④ g = 21. 다음 T형 회로를 갖는 반전 증폭기에서 각 저항 = = = 1M이고, = 10k일 때, 출력 전압 를 구하시오. (단, 연산 증폭기는 이상적이다.) ① ② ③ ④ 22. 다음 회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? (단, 은 항상 포화영역에 있다고 가정하시오. 또, 회로도에 표시되지 않은 기생 성분의영향은 무시하시오.) ① 저역 차단주파수 은 과 ||에 의해 결정된다. ② 고역 차단주파수 는 와 에 의해 결정된다. ③ 가 커지면 중간주파수에서의 이득이 커진다. ④ 이 작아지면 중간주파수에서의 이득이 커진다. 23. 다음 회로에 대한 설명으로 가장 옳은 것은? (단, 는 귀환율이다.) ① 병렬-병렬 귀환 증폭기이고, 이다. ② 병렬-직렬 귀환 증폭기이고, 이다. ③ 직렬-병렬 귀환 증폭기이고, 이다. ④ 직렬-직렬 귀환 증폭기이고, 이다. 전자회로(9급) 6 - 6 24. 다음 연산증폭기를 이용한 증폭기회로의 입력 저항으로 가장 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다.) ① 1k ② 1.2k ③ 2k ④ 5k 25. 다음 CMOS로 구성된 논리회로에서 출력 의 논리식을 구하시오. ① ② ③ ④