2014 국가직 9급 전자공학개론 문제 정답 - 2014.4.19.

 

전자공학개론-S정답(2021-04-22 / 309.7KB / 312회)

 

 전자공학개론 S 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. 수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다. ② 8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다. ③ 10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다. ④ 음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다. 문 2. 그림 ㉠ ∼ ㉣ 회로에 정현파   sin Ⅴ가 각각 입력 되었을 때, 출력전압    Ⅴ 값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다)   D1 D2 1 kΩ D2   D1 1 kΩ D3   D1 D2 1 kΩ   D1 D2 1 kΩ 회로    Ⅴ ① ㉠ 0 ② ㉡ 20 ③ ㉢ 20 ④ ㉣ 0 문 3. ㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? ○ N 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉠ )에서 동작하기 위해서 채널이 드레인 끝에서 핀치오프(pinch-off) 되어야 한다. 즉, 드레인 전압이 게이트 전압 아래로 문턱전압(threshold voltage) 보다 더 떨어지지 않아야 한다. ○ P 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉡ )에서 동작하기 위해서 드레인 전압이 게이트 전압보다 적어도 문턱전압 | | 만큼 초과해야 한다. ㉠ ㉡ ① 포화영역(saturation region) 트라이오드 영역(triode region) ② 포화영역(saturation region) 포화영역(saturation region) ③ 트라이오드 영역(triode region) 트라이오드 영역(triode region) ④ 트라이오드 영역(triode region) 포화영역(saturation region) 문 4. 다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단,  ≫  이다) L R C ① L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다. ② 공진시 공진주파수는    에 가깝다. ③ 공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다. ④ R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다. 문 5. 다음 회로에서 부하저항 이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항 에서 소비되는 최대전력 Ｗ은? 10 Ω 30 V ＋ 10 Ω － RL ① 8.25 ② 9.25 ③ 10.25 ④ 11.25 문 6. 다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압  Ⅴ와 드레인－소스 전압이 10 Ⅴ일 때의 순방향 전달 컨덕턴스  mS에 가장 가까운 값은? 10 VDS － Drain-Source Voltage [V] 2 4 6 8 VGS＝ 0 V 6 4 2 0 8 VGS＝ －0.2 V VGS＝ －0.4 V VGS＝ －0.6 V VGS＝ －0.8 V VGS＝ －1.0 V  V  mS ① 2 2 ② 2 5 ③ 8 2 ④ 8 5 ㉠ ㉡ ㉢ ㉣ 전자공학개론 S 책형 2 쪽 문 7. ㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? 100 Hz, 120 Hz, 200 Hz의 주파수 성분으로 이루어진 아날로그 신호를 300 Hz의 주파수로 표본화(sampling)하면 표본화 주파수의   을 넘는 주파수 성분이 신호에 존재하므로 ( ㉠ )이 발생한다. 그래서 이 신호를 차단주파수가 150 Hz인 ( ㉡ )에 먼저 통과시켜 ( ㉠ )을 방지한 후 표본화한다. ㉠ ㉡ ① 앙상블(ensemble) 고역 통과 필터(High Pass Filter) ② 앙상블(ensemble) 저역 통과 필터(Low Pass Filter) ③ 에일리어싱(aliasing) 고역 통과 필터(High Pass Filter) ④ 에일리어싱(aliasing) 저역 통과 필터(Low Pass Filter) 문 8. 다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 Ⅴ와 하측 트리거 기준 전압  Ⅴ는? (단, max  V, max   V,   이다) Vin Vout RA RB － ＋  V  V ① ＋1 －1 ② ＋1 －3 ③ ＋3 －1 ④ ＋3 －3 문 9. 다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D－플립플롭으로 설계할 때, D－플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다) 현재상태 A B 입력 X 다음상태 A B 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 1 0 1 1 1 ① DA ‗ X ＋ B ② DA ‗ A'X ＋ A'B ＋ BX ③ DA ‗ A'X ＋ AB ＋ AB'X ④ DA ‗ X ＋ AB' 문 10. 다음 회로의 출력전압  Ⅴ은? － ＋ － ＋ 10 kΩ 90 kΩ Vout 1 V 2 V － ＋ 30 kΩ 10 kΩ 30 kΩ ① －27 ② 9 ③ 18 ④ 27 문 11. 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다. ② 터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다. ③ 쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭 타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다. ④ PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다. 문 12. 출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은? ① A B A Y ② Y A A B B ③ Y A A B B ④ A A Y B B 전자공학개론 S 책형 3 쪽 문 13. 다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? I R   I F Ⅰ Ⅲ Ⅱ Ⅳ 항복전압 VBR 0 0.7 V ① 영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다. ② 영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다. ③ 영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다. ④ 영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다. 문 14. 페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 절대온도 Ｋ에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다. ② 온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다. ③ 진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다. ④ 온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다. 문 15. 다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 Ⅴ은? ＋ － 10 Ω 5 Ω ＋ － ＋ － 1 V V2 2A V1 V1 V2 ① 7 6 ② 7 10 ③ 8 6 ④ 8 10 문 16. 다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단,   V,   ,  ′  mV 이다) R1 ＝ 40 kΩ C1 ＝ 1 μF R2 ＝ 10 kΩ RE ＝ 1.3 kΩ RC ＝ 2.65 kΩ C2 ＝ 1 μF Vcc ＝ 10 V Vin Vout ① 1.5 ② 2 ③ 2.5 ④ 3 문 17. 다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps ＝ 1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다) ○ 표본화율(sampling rate) : 1,000 Hz ○ 양자화 비트(quantization bit) 수 : 5 ○ 채널(channel) : 스테레오(stereo) ① 20 ② 40 ③ 60 ④ 80 문 18. 논리식 A'B(D' ＋ C'D) ＋ B(A ＋ A'CD)와 동일한 것은? ① AB ② B ③ AB ＋ C' ④ A ＋ BC' 문 19. 다음 신호 를 푸리에 변환한 F는?                 ①  sin  ②  sin  ③  sin   ④  sin   문 20. 다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다) count sequence 1 J Q3 1 J Q2 J Q1 K Q3 K Q2 K Q1 1 CLK MSB-Q3 0 0 0 0 CLK CLK CLK Q2 1 LSB-Q1 ① 0 3 7 1 3 7 1 3 ② 0 5 6 1 4 3 5 6 ③ 0 6 5 3 2 4 6 5 ④ 0 6 5 2 4 3 6 5