전자공학개론정답(2021-05-20 / 1.07MB / 354회)
2019년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 17 - 전 자 공 학 개 론 1. 다음 카르노 맵(Karnaugh map)으로 표현된 2진신호에 대한 논리 식을 최소화한 것은? ① ② ③ ④ ⑤ 2. 다음 연산증폭기를 이용하여 구현한 4bit 디지털-아날로그 변환기 (DAC)의 디지털 입력 이 주어질 때 출력전압 의 값[V]은? =16V + - =0 + - =16V + - =16V -+ + - ① -8 ② -16 ③ -24 ④ -26 ⑤ -28 3. 다음 D플립플롭으로 구성된 카운터는 으로 초기 화되어 있다. 의 동작 순서는? ① 000 → 001 → 111 → 011 → 110 → 100 → 001 ② 000 → 001 → 011 → 110 → 111 → 100 → 001 ③ 000 → 001 → 011 → 111 → 100 → 110 → 001 ④ 000 → 001 → 011 → 111 → 110 → 100 → 000 ⑤ 000 → 001 → 011 → 111 → 110 → 100 → 001 4. 다음 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 논리 게이트에 의해 구현되는 논리식은? A B C Y VDD ① ② ③ ④ ⑤ 2019년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 18 - 5. 다음 펄스파에 대한 펄스 반복주파수[kHz], 듀티 사이클[%], 평균 값[V]은? 펄스 반복주파수 듀티 사이클 평균값 ① 100 90 0.5 ② 100 10 0.5 ③ 100 10 1.5 ④ 1000 10 0.5 ⑤ 1000 90 1.5 6. 다음 그림 (a)와 그림(b)는 각각 서로 다른 두 유전체로 이루어진 평판 커패시터의 단면이다. 두 경우 모두 한 변의 길이가 w인 정 사각형 형태의 극판으로 구성되어 있다. 이 때 그림 (a)와 그림(b) 의 두 커패시터의 정전용량 와 의 관계로 옳은 것은? (단, 비 유전율 과 의 비는 1:3이다.) d/2 d/2 w/2 w/2 (a) (b) w d ① ② ③ ④ ⑤ 7. 다음 중 옴의 법칙(Ohm’s law)의 관계식은? ( : 전기장의 세기,: 전위차, : 전류밀도, : 전속밀도, : 힘, : 자속밀도, : 자기장의 세기) ① ∇ ② ③ ∇∙ ④ ⑤ 8. 실리콘 반도체를 섭씨 200도가 넘는 고온에서 사용할 수 없는 이 유는? ① 온도 증가에 따라 격자산란이 심화되기 때문이다. ② 발열이 심해져 전류가 거의 흐르지 않기 때문이다. ③ 실리콘의 녹는점에 도달하기 때문이다. ④ 진성캐리어의 농도가 크게 증가하여 반도체 특성을 잃기 때문이다. ⑤ 주입된 불순물 이온들이 비활성화되기 때문이다. 9. 반도체칩 생산에 반드시 사용되어야 하는 포토레지스트의 일반적 인 특성과 맞지 않는 것은? ① 미세패턴을 형성하기 위해 사용하는 감광액이다. ② 빛에 대한 감응 특성에 따라 네거티브(negative)와 포지티브 (positive) 포토레지스트로 분류될 수 있다. ③ 포토레지스트 기술은 반응에 수반하는 물성 변화, 특히 용해성의 변화를 이용한다. ④ 포토레지스트 재료는 광 및 전자선에 의해 화학 반응하는 고분자 화합물이다. ⑤ 반도체칩 내부에서 저항을 형성하는 주요 소재이다. 10. 두 회로를 캐스케이드(cascade)로 연결하는 경우, 1차회로의 출력 전압 또는 출력전류를 효율적으로 2차회로에 전달하기 위해 두 회 로 사이에 삽입하는 회로를 각각 전압버퍼와 전류버퍼라고 한다. 이 상적인 전압버퍼와 전류버퍼의 입력저항값[Ω]과 출력저항값[Ω]은? 전압버퍼 전류버퍼 입력저항 출력저항 입력저항 출력저항 ① ∞ ∞ 0 0 ② 0 0 ∞ ∞ ③ ∞ 0 ∞ 0 ④ ∞ 0 0 ∞ ⑤ 0 ∞ ∞ 0 2019년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 19 - 11. 종류별 다이오드 소자의 특징과 응용을 올바르게 설명한 것만을 고른 것은? 소자 특징 응용 ㄱ. 제너 다이오드 항복영역에서 동작 전압조정기 ㄴ. 버랙터(varactor) 가변커패시터로 동작 FM Radio, TV 등 튜너 ㄷ. 터널 다이오드 부성(-)저항 특성 고주파 가변저항 ㄹ. 발광 다이오드 광전효과 이용 저주파 발진기 ㅁ. 쇼트키 다이오드 전류제어저항으로동작 저주파 정류기 ① ㄱ, ㄴ ② ㄱ, ㅁ ③ ㄴ, ㄷ ④ ㄷ, ㄹ ⑤ ㄹ, ㅁ 12. 다음 회로에서 가운데 전류계로 측정한 전류값이 0 A가 될 때, 의 소비전력[W]은? + - 105V A 100Ω 5Ω 1Ω 500Ω ① 1.0 ② 2.5 ③ 3.0 ④ 4.5 ⑤ 5.0 13. 다음 전원측 임피던스와 부하측 임피던스가 18-j9[Ω]과 2+jXL[Ω] 인 회로가 있다. 권선비를 임의로 조정할 수 있는 이상변압기의 권선비와 부하측의 가변리액턴스 XL을 조정함으로써 부하측에 전 달되는 전력을 최대화하기 위한 권선비와 부하측 리액턴스의 값 [Ω]은? + - 18Ω -j9Ω 2+j [Ω] 이상변압기 (ideal transformer) : ① N1:N2=3:1, XL=1 ② N1:N2=1:3, XL=1 ③ N1:N2=3:1, XL=-1 ④ N1:N2=1:3, XL=-1 ⑤ N1:N2=2:1, XL=0 14. 다음 연산증폭기 회로에서 출력전압 V0의 값[V]은? (단, 연산증폭 기는 이상적이라고 가정한다.) 2kΩ 4kΩ + - 3V 8kΩ 5kΩ + - + - ① 0 ② 2 ③ 3 ④ 5 ⑤ 7 15. 다음 회로에서 i0[A]와 V0[V]는? 2Ω 4Ω 3Ω 6Ω V0 + - i0 V0 ① 1.5 9 ② 1.5 18 ③ 3 9 ④ 3 18 ⑤ 1.5 12 16. 다음 중 다이오드를 응용한 회로인 클램퍼회로의 기능으로 옳은 것은? ① 입력파형의 양(또는 음)의 반주기를 통과시키고, 반대로 음(또는 양)의 반주기는 차단한다. ② 입력의 음의 반주기를 양으로 반전시켜 양의 반주기와 함께 출력 한다. ③ 교류 신호의 진폭을 제한하거나 교류 전압을 미리 정한 레벨로 제한한다. ④ 과도한 신호 크기에 의한 오동작이나 소자 파괴 방지에 사용한다. ⑤ 신호의 파형모양을 변화시키기 않고 특정 DC전압만큼 이동시킨다. 2019년도 9급 공개경쟁채용시험 전 자 공 학 개 론 책형 가 - 20 - 17. 다음 연산증폭기 회로에서 출력전압 V0의 그래프 형태로 옳은 것 은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정하고, 커패시터의 전압 Vc의 초기값은 0V라고 가정한다.) 4kΩ + - 4 mV -+ + - 100kΩ + - ① 0 t ② t 0 ③ 0 t ④ 0 t ⑤ 0 t 18. 다음 회로의 RL에서 소모되는 전력이 최대가 되는 RL의 값[Ω]은? + - 3 Ω 10 Ω 10 V 2 ① 1 ② 2 ③ 3 ④ 6 ⑤ 9 19. 다음 그림 (a)는 10V 전압원, 선형소자 B와 비선형소자 C가 직렬 로 연결되어 구성된 회로이며, 그림 (b)와 (c)는 각각 B와 C의 전 압-전류 특성곡선을 보여준다. 그림 (ㄱ)~(ㄹ) 중에서, 부하선해 석법(load line analysis)으로 이 회로를 해석하여 동작점( )을 구하기 위한 그래프는? 선형소자 B + - ↓ + 10 V (a) 비 선 형 소 자 C - 10[V] [A] 4 2 0 0 5 (b)선형저항소자 B의 v-I 특성곡선 10[V] [A] 4 2 0 0 5 (c)비선형저항소자 C의 v-I 특성곡선 10 V A 4 2 0 0 5 (ㄱ) 10 V A 4 2 0 0 5 (ㄴ) 10 V A 4 2 0 0 5 (ㄷ) 10 V A 4 2 0 0 5 (ㄹ) ① ㄱ ② ㄴ ③ ㄷ ④ ㄹ ⑤ 비선형저항소자가 포함된 회로는 부하선해석법으로 해석할 수 없다. 20. 다음 NMOSFET의 문턱전압 VT는 1V이다. (a)와 (b)는 각각 어떤 영역에서 동작하는가? (단, 기판 전극은 전원과 연결된다.) 2V (a) 2V (b) 1.5V 3V ① 선형, 선형 ② 선형, 포화 ③ 포화, 포화 ④ 포화, 선형 ⑤ 차단, 선형