2012 국가직 9급 전자공학개론 문제 정답 - 2012.4.7.

 

전자공학개론-인정답(2021-04-11 / 330.6KB / 292회)

 

 전자공학개론 인 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은? ① ASK 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다. ② FSK 방식의 일종이다. ③ ASK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다. ④ FSK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다. 문 2. 다음 발진기의 명칭은? +Vcc C B E ① 클랩 발진기 ② 콜핏츠 발진기 ③ 하틀리 발진기 ④ 이완 발진기 문 3. 다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE ＝ 0.7 V, IC ≃ IE 이다) 4.7 KΩ 4.3 KΩ IE IC 15 V 5V ＋ － ＋ － E C B ① 4 ② 5 ③ 6 ④ 7 문 4. 다음 회로에서 출력전압 VO값 [V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다) ＋ 15 V 1 KΩ ＋ 5 V VO 0 V －10 V D1 D2 D3 ① 0 ② 5 ③ －10 ④ 15 문 5. 다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는? 0 [그림 A] [V] t 0 [그림 B] [V] t ① 부츠트랩 회로 ② 블로킹 발진기 ③ 슈미트 트리거 ④ LC동조회로 문 6. 다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다) ＋ － － ＋ － ＋ V2 R 2 R R V1 R R 2 R 2 R VO VO1 VO2 ① －2 ② －4 ③ 2 ④ 4 문 7. D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L" 이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호 주기와 같다고 가정한다) IN D Q D Q D Q D Q CLK OUT1 OUT OUT2 OUT3 OUT4 ① "L" → "H" → "L" → "L" → "H" → "L" ② "L" → "L" → "H" → "H" → "L" → "L" ③ "H" → "H" → "L" → "L" → "H" → "H" ④ "L" → "L" → "L" → "L" → "H" → "L" 문 8. 다음 회로에서 출력전압 Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다) －＋ － ＋ RA 2 V 4 mA RB VO ① 4 ② 8 ③ 10 ④ 12 전자공학개론 인 책형 2 쪽 문 9. 다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다) － ＋ +VREF   R R 2 R R Vo 2 R ① －VREF/2 ② －VREF ③ －2 VREF ④ －4 VREF 문 10. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β ＝100, VBE ＝0.7 V, RB ＝ 200 KΩ, C1 ＝ C2 ＝ 10 μF, VCC ＝ 10.7 V 이다) 출력신호 Vcc RB RC VBE E B C1 C2 C I VBC B + + 입력신호 － － ① 0.8 ② 1.2 ③ 3.3 ④ 3.5 문 11. 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은? AB CD 00 01 11 10 00 1 0 0 1 01 1 1 1 0 11 0 1 1 0 10 1 0 0 1 ① A'B'C' ＋ ABD ＋ B'CD' ② A'B'C' ＋ BD ＋ B'D' ③ A'B'C'D ＋ A'BD ＋ B'D' ④ A'B'C'D ＋ AB'D' ＋ BD 문 12. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다) ① MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다. ② MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다. ③ MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압 (VDS)에 따라서 변할 수 있다. ④ MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source -body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다. 문 13. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압 (VTH) [V]과 테브난 저항(RTH) 값 [KΩ]은? 10 KΩ 20 KΩ 10 KΩ 15 V RTH VTH 20 KΩ VTH RTH ① 2.5 20/3 ② 2.5 10 ③ 5 20/3 ④ 5 10 문 14. 면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은? ＋ － A   V ① 두 금속판 사이의 거리()를 2배로 늘려준다. ② 두 금속판의 면적(A)을 2배로 늘려준다. ③ 두 금속판 사이에 유전율()이 1/2인 물질로 채운다. ④ 두 금속판의 면적과 두 판 사이의 거리를 동시에 2배로 늘려준다. 문 15. 펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은? ① 32 ② 9.6 ③ 64 ④ 50 전자공학개론 인 책형 3 쪽 문 16. 다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10 V일 때, 20 KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다) － ＋ 10 KΩ 10 KΩ 100 KΩ 100 KΩ Vi ＋ － 20 KΩ IL ① 0.05 ② 0.1 ③ 0.5 ④ 1 문 17. 다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5 V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는? A C A B B F (출력) C D 5 V Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 D PMOS PMOS PMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS ① A B C D F ② D A B C F ③ A B C D F ④ A B C D F 문 18. 논리식 (A ＋B)(A＋B')(A' ＋B)(A' ＋B')을 간단히 한 결과는? ① AB' ＋ A'B ② AB ＋ A'B' ③ 0 ④ 1 문 19. 발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은? ㄱ. 발광다이오드는 금속－반도체 접합으로써, 금속으로는 몰리브텐, 백금 등이 사용되고 반도체로는 실리콘, 갈륨비소 등이 사용된다. ㄴ. 발광다이오드도 pn 접합 소자의 일종으로 역방향으로 바이어스 될 때 실리콘 반도체 내 접합 부근에서 정공과 전자가 재결합하여 빛 에너지가 발산하게 된다. ㄷ. 발광다이오드는 빛을 전기적신호로 변환하는 포토 다이오드와 반대되는 기능을 한다. ㄹ. 발광되는 빛은 정공과 전자의 재결합 양에 따라서 비례하고 재결합되는 양은 다이오드의 순방향 전류에 비례한다. ① ㄱ, ㄴ ② ㄴ, ㄷ ③ ㄷ, ㄹ ④ ㄱ, ㄷ 문 20. 다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) 18 10 2 [V] t m R ① 0.8 m    ② 1.6 m    ③ 0.8 m   m  ④ 1.6 m   m 