2009 지방직 9급 전자공학개론 문제 정답

 

전자공학개론정답(2021-03-07 / 319.0KB / 279회)

 

 전자공학개론 A 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. 집적회로(IC)에서 BJT보다 CMOS 소자를 많이 사용하는 이유로 옳지 않은 것은? ① CMOS가 전력을 적게 소모하기 때문 ② CMOS가 일반적으로 BJT보다 훨씬 빠르기 때문 ③ CMOS는 같은 기능을 하는 BJT에 비해 더 작게 만들어 집적하기가 좋기 때문 ④ CMOS가 잡음에 더 강하기 때문 문 2. 그림과 같은 증폭회로의 입력 임피던스 in[]는? (단,   ,   이다)   in  out ① 1.11 ② 1.01 ③ 2.11 ④ 2.01 문 3. 이미터 공통 증폭기의 입력 교류신호(  , )에 대한 출력 교류 신호(  , )의 위상을 나타낸 것은? ① 출력교류전류와 출력교류전압이 모두 동위상 ② 출력교류전류는 역위상, 출력교류전압은 동위상 ③ 출력교류전류는 동위상, 출력교류전압은 역위상 ④ 출력교류전류와 출력교류전압이 모두 역위상 문 4. 그림과 같은 대역통과필터의 주파수 응답곡선에서 대역폭 BW[Hz]와 선택도 Q는? 490 500 510 1 0.707 out/in Hz BW Q ① 10 50 ② 20 50 ③ 10 25 ④ 20 25 문 5. LC 발진회로가 아닌 것은? ① 동조형 발진회로 ② 이상형 발진회로 ③ 콜피츠 발진회로 ④ 하틀리 발진회로 문 6. 다음과 같은 다단 증폭기에서 전체 전압이득의 크기는?       in  out   ① －60 ② 120 ③ 60 ④ －120 문 7. 다음 논리식을 간략화한 것은?     ①  ②  ③  ④  문 8. 그림과 같은 4단자망 회로에서 어드미턴스 파라미터(y-parameter)의 입력 단락시 출력 어드미턴스 는?          ①   ②   ③   ④   문 9. 1차 코일의 권선 수는 200이고 2차 코일의 권선 수는 600인 변압기가 있다. 1차 코일에 100 [V]의 전압이 걸릴 때 소비전력이 600 [W]였다면, 2차 코일에 흐르는 전류 [A]는? ① 10 ② 20 ③ 1 ④ 2 전자공학개론 A 책형 2 쪽 문 10. 다음 각 논리회로의 동작을 논리식으로 바르게 표현한 것은? (가) (나) Y R A B C Y R A B C V (가) (나) ① Y  ABC Y  ABC ② Y  ABC Y  ABC ③ Y  ABC Y  ABC ④ Y  ABC Y  AB C 문 11. 전기회로의 측정에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? ① 전압계는 측정하고자 하는 회로소자에 병렬로 연결해야 하고, 전류계는 측정하고자 하는 회로소자에 직렬로 연결해야 한다. ② 우수한 전압계는 매우 큰 내부저항을 가져야 하고, 우수한 전류계는 매우 작은 내부저항을 가져야 한다. ③ 멀티미터의 선택 스위치를 AC에 두고 정현파 신호를 측정하면 그 값은 실효값을 나타낸다. ④ 오실로스코프는 측정하고자 하는 신호가 일정한 주파수를 가질 때 사용하는 전압계/전류계이다. 문 12. 다음 회로가 정상상태에 도달하였을 때, 저항 2 []을 통해 흐르는 전류값 [A]은? (단, 10 [V]는 직류전원이다)   H F  V H ① 2 ② 0 ③ 1 ④ 5 문 13. 차동증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 차동신호의 이득은 작고 공통신호 이득은 클수록 양호한 특성을 얻는다. ② 공통신호제거비의 값이 클수록 차동증폭기의 특성은 우수하다. ③ 직류신호에서 고주파 신호까지 증폭이 가능하다. ④ 공통신호제거비는 (차동전압의 이득/공통전압의 이득)의 비로 정의된다. 문 14. 실리콘 PN 접합에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? ① PN 접합에서 전위장벽은 정공과 전자가 서로 반대영역으로 이동하는 것을 가로막는다. ② PN 접합에서 역방향 전압이 어떤 임계전압값을 넘으면 역방향 전류가 급격히 증가하는 항복현상이 일어난다. ③ 전압이 인가되지 않은 PN 접합에서 불순물 농도가 증가할수록 전위장벽은 낮아진다. ④ PN 접합에서 공핍층 용량은 접합부에서 생기는 공간전하 영역이 고정된 이온의 형태로 전하를 축적하여 생긴다. 문 15. 다음 회로에서 정현파 입력 전압 가 인가될 때, 저항 에서의 한주기 동안 전압파형 은? (단, 다이오드의 turn-on 전압은 무시한다)             ①      ②      ③      ④      문 16. 그림과 같은 4－bit D/A 변환기의 스위치 에 2진 신호 ‘1001’이 인가될 때, 출력전압은?             ①      × ②      × ③      × ④      × 전자공학개론 A 책형 3 쪽 문 17. 반도체 소자와 관련된 용어의 설명으로 옳지 않은 것은? ① Fermi 준위 : Fermi 준위에서 에너지상태는 전자에 의하여 점유될 확률이 50 %이다. ② Early 효과 : BJT 컬렉터접합의 역바이어스 전압이 증가됨에 따라 공간전하층은 베이스의 폭을 더욱 점유하며, 그 결과로 실효 베이스 폭은 감소한다. ③ Zener 항복 : 고농도 도핑이 이루어진 PN접합이 역바이어스 전압에 의해 전자의 터널링으로 큰 역방향 전류를 형성하게 된다. ④ Body 효과 : MOSFET 소자에서 기판전압 VB≠0인 경우, 문턱전압은 소스와 기판 사이의 순방향 전압에 의존한다. 문 18. 그림과 같이 45 °, 135 °, 225 °, 315 °의 위상과 동일한 진폭을 갖는 4개 정현파 심볼이 있다. 이 심볼의 주기당 2비트 정보를 전송 하는 디지털 변조방식은?  (00) (10) (01) (11)  ① Frequency Shift Keying (FSK) ② Binary Phase Shift Keying (BPSK) ③ Quadrature Phase Shift Keying (QPSK) ④ Amplitude Shift Keying (ASK) 문 19. 다음 빈칸에 들어갈 용어가 바르게 짝지어진 것은? 순차회로에서 에지 트리거(edge trigger) 플립플롭의 안전한 동작을 보장하기 위하여 규정하는 타이밍 규칙이 있다. 클럭의 에지 전에 일정한 시간 동안 입력값이 변하지 않고 그 값을 유지해야 하는 시간을 ( ㉠ )이라 하고, 클럭 에지 이후에도 일정한 시간 동안 입력값이 변하지 않아야 하는 시간을 ( ㉡ )이라 한다. ㉠ ㉡ ① 셋업(setup) 시간 에지지연(edge delay) 시간 ② 셋업(setup) 시간 홀드(hold) 시간 ③ 에지지연(edge delay) 시간 셋업(setup) 시간 ④ 홀드(hold) 시간 셋업(setup) 시간 문 20. 다음 회로에서 4 [] 저항 양단의 전압 [V]은?    A V ① 5 ② 6 ③ 8 ④ 12