전자회로_9급(최종)정답(2023-07-16 / 428.7KB / 307회)
전자회로(9급) 6 - 1 전 자 회 로 ( 9급 ) (과목코드 : 093) 2023년 군무원 채용시험 응시번호 : 성명 : 1. 전자회로에 사용되는 소자에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 저항은 전력을 소비하는 소자이다. ② 커패시터와 인덕터는 에너지를 저장할 수 있는 소자이다. ③ 다이오드는 반도체소자로 전력을 소비한다. ④ MOSFET는 반도체 소자로 항상 전류원으로 모델링된다. 2. 다음 CMOS 논리회로에 대한 논리게이트 심볼은? ① ② ③ ④ 3. 아래 회로에서 I 1=20[μA], I 2=1[mA], β1=100, β2=50, R1=100[Ω], R2=5[Ω], VCC=10[V]일 때, Vo의 값을 구하시오. ( 1과 β2는 트렌지스터 Q1 과 Q2의 전류이득이며, 얼리효과는 무시한다.) ① 255[mV] ② 2.31[V] ③ 10.44[V] ④ 161[mV] 4. 이득이–R2/R 1인 반전증폭기를 구현하기 위해 아래와 같이 회로를 설계하였으나, 이득이 원했던 값으로 나오지 않았다. 원하는 이득값을 가지도록 회로를 변경하려면 어떻게 해야 하는가? (C1은 매우 큰 값을 가진다고 가정하며, 이상적인 연산증폭기가 사용되었다.) ① C1을 제거한다. ② 연산증폭기의 두 입력 단자를 서로 바꾸어 준다. ③ R1과 R2의 위치를 서로 교환한다. ④ 연산증폭기 (-) 입력의 전압 VB를 제거한다. 전자회로(9급) 6 - 2 5. 다음 그림의 논리 게이트를 나타낸 논리식 F로 올바른 것은? ① ② ③ ④ 6. 다음 중, 부귀환(Negative Feedback)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 시스템의 이득을 증가시킨다. ② 시스템의 대역폭을 넓힌다. ③ 입출력 임피던스(impedance)의 크기를 바꾼다. ④ 선형성을 증가시킨다. 7. 전자회로에서의 잡음(noise)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은? ① 저항에서 발생하는 열잡음(thermal noise)은 온도가 올라가면 증가한다. ② 일반적인 트랜지스터 회로에서는 인덕터를 출력단과 ground 사이에 연결하면 잡음 제거 를 할 수 있다. ③ 트랜지스터에서도 열잡음(thermal noise)이 발생한다. ④ 트랜지스터 자체에서 발생하는 저주파 잡음 으로는 플릭커 잡음(flicker noise)이 있다. 8. 다음 회로에서 발진주파수[Hz]와 발진할 수 있는 조건을 바르게 구한 것은? (단, 연산증폭기 는 이상적이다.) ① 발진주파수 : 발진조건 : 10[㏀], 15[㏀] ② 발진주파수 : 발진조건 : 10[㏀], 21[㏀] ③ 발진주파수 : 발진조건 : 10[㏀], 15[㏀] ④ 발진주파수 : 발진조건 : 10[㏀], 21[㏀] 9. 다음 가산기(또는 가중저항)형 D/A(디지털 아날 로그) 변환기 회로에서 이 -5[V]이고 스위치 2진수 가 일 때 출력전압은? ① -4.0625[V] ② -3.125[V] ③ 3.125[V] ④ 4.0625[V] 전자회로(9급) 6 - 3 10. 다음 회로에서 스위치 SW가 에서 ON된 다고 할 때 시정수 는? ① 0.24[msec] ② 240[msec] ③ 2.4[msec] ④ 24[msec] 11. 다음 증폭기 회로에서 출력전압 Vo = 65 [V]가 될 때, 입력전압 Vs의 값으로 올바른 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다.) ① 5[V] ② 10[V] ③ 15[V] ④ 20[V] 12. 차동전압이득이 100dB인 어떤 연산증폭기의 CMRR(Common-Mode Rejection Ratio)은 80[dB]이다. 이 연산증폭기에 차동성분과 동상성분이 각각 0.1[mV]와 10[mV]인 입력 신호가 인가될 때, 차동출력전압과 동상출력 전압을 바르게 구한 것은? ① 차동출력전압 : 10[V], 동상출력전압 : 1.0[V] ② 차동출력전압 : 10[V], 동상출력전압 : 0.1[V] ③ 차동출력전압 : 1.0[V], 동상출력전압 : 0.1[V] ④ 차동출력전압 : 1.0[V], 동상출력전압 : 1.0[V] 13. 불 대수의 연산에서 의 결과값 으로 올바른 것은? ① ② ③ B ④ 14. 다음 회로의 입력 전압, sin [V] 일 때, 출력 전압()을 가장 옳게 표시한 것 은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) ① vo(t) = 0[V] ② vo(t) = Vpsinωt[V] ③ vo(t) = -Vp(1- sinωt)[V] ④ vo(t) = Vp + Vpsinωt[V] 전자회로(9급) 6 - 4 15. 다음 회로에서 를 바르게 구한 것은? ① ∙ ∙ ② ∙ ∙ ③ ∙ ∙ ④ ∙ ∙ 16. 다음 그림 중에서 sin∙ 에 대한 파형을 바르게 그린 것은? (t: Second 단위의 시간) ① ② ③ ④ 17. 다음 카로노맵에서 최소 곱의 합(SOP: Sum Of Product)를 바르게 구한 것은? ① ② ③ ④ 18. 다음 정류기에서 >0일 때, 다이오드 D4에 걸리는 최대전압 (a), 출력전압 의 최댓값 (b)에 가장 가까운 값은? (단, 의 최댓값은 7[V], 다이오드 D1~D4의 순방향 전압은 0.7[V]로 가정한다.) ① (a) 6.3[V], (b) 5.6[V] ② (a) 5.6[V], (b) 6.3[V] ③ (a) 6.3[V], (b) 7.7[V] ④ (a) 0.7[V], (b) 5.6[V] CD AB 00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 1 11 1 1 1 10 1 1 1 전자회로(9급) 6 - 5 19. 다음 회로에서VB = 1 [V]이다. 전압 VC , 전류이득 β 의 값으로 올바른 것은? (단, VEB = 0.7[V]로 가정한다.) ① VC = - 0.25[V], β =195 ② VC = -1.75[V], β =165 ③ VC = -3.25[V], β =135 ④ VC = - 4.75[V], β =105 20. 다음 연산증폭기에서 출력 전류 I o [㎃]의 값으로 올바른 것은?(단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다.) ① 16 [㎃] ② 2 [㎃] ③ -4 [㎃] ④ -16 [㎃] 21. 다음 증폭기의 전압이득(vo/vi)으로 올바른 것은? ① ② ③ ④ 22. 다음 중 pnp형 BJT를 활성(active) 모드로 동작시키기 위한 설명으로 올바른 것은? ① 베이스-이미터 사이의 DC 바이어스 전압을 역방향으로, 컬렉터-베이스 사이의 DC 바이어스 전압을 역방향으로 인가한다. ② 베이스-이미터 사이의 DC 바이어스 전압을 순방향으로, 컬렉터-베이스 사이의 DC 바이어스 전압을 역방향으로 인가한다. ③ 베이스-이미터 사이의 DC 바이어스 전압을 순방향으로, 컬렉터-베이스 사이의 DC 바이어스 전압을 순방향으로 인가한다. ④ 베이스-이미터 사이의 DC 바이어스 전압을 역방향으로, 컬렉터-베이스 사이의 DC 바이어스 전압을 순방향으로 인가한다. 전자회로(9급) 6 - 6 23. 다음 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로에서 포화된 출력전압이 ±일 때 UTP와 LTP 값으로 올바른 것은? (UTP:상위트립점, LTP:하위트립점) ① UTP = 10[V], LTP = -10[V] ② UTP = -10[V], LTP = 10[V] ③ UTP = 5[V], LTP = -5[V] ④ UTP = -5[V], LTP = 5[V] 24. 다음 증폭기의 전압이득(Vo/Vi)으로 올바른 것은? (단, 연산증폭기의 이득은 A이고, ∞[Ω] 입력 저항, 0[Ω] 출력저항을 갖는다고 가정한다.) ① ② ③ ④ 25. 다음 평활커패시터를 갖는 정류회로에서 리플 (ripple) 전압에 대한 설명중 가장 옳은 것은? ① 리플전압 크기는 커패시터 C 값의 크기에 비례한다. ② 리플전압 크기는 저항기 R 값의 크기에 비례한다. ③ 리플전압 크기는 입력신호 주파수의 크기에 비례한다. ④ 리플전압 크기는 입력신호 주기의 크기에 비례한다.