2018 국가직 9급 전자공학개론 문제 정답 - 2018.4.7.

 

전자공학개론-가정답(2021-05-16 / 292.1KB / 574회)

 

 전자공학개론 가 책형 1 쪽 전자공학개론 문 1. PCM 방식에서 ㉠, ㉡의 값은? ○ 최대 주파수 10 [k㎐]로 대역제한된 신호를 왜곡 없이 복원할 수 있는 ㉠ 최소 샘플링 주파수 [kHz] ○ 양자화 레벨의 수가 126일 때, 2진 부호화하는 경우 하나의 양자화된 표본값을 표현하는 데 필요한 ㉡최소 비트 수 ㉠ ㉡ ① 10 7 ② 10 8 ③ 20 7 ④ 20 8 문 2. BJT와 MOSFET을 비교한 설명으로 옳지 않은 것은? ① MOSFET은 다수캐리어의 이동에 의하여 동작 특성이 결정되므로 단극성(unipolar) 소자이다. ② BJT에 비해 MOSFET은 입력 임피던스 값이 매우 커서 입력 전류의 크기가 매우 작다. ③ BJT에 비해 MOSFET은 속도가 빠르므로 고속 회로 설계에 더 적합하다. ④ BJT에 비해 MOSFET은 단위소자 면적을 줄일 수 있어서 고밀도 집적회로 설계가 가능하다. 문 3. 다음 파형을 상승에지 트리거 J－K 플립플롭에 인가하였을 때, 시간 t ＝ t1, t2, t3, t4에서의 출력 Q를 차례대로 바르게 나열한 것은? (단, Q는 t ＝ t0에서 1로 초기화되어 있으며, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다) Clock J K t0 t1 t2 t3 t4 ① 0, 1, 0, 1 ② 0, 0, 1, 1 ③ 0, 1, 1, 1 ④ 1, 0, 1, 0 문 4. 다음 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ① 제너 다이오드(Zener diode)는 순방향 바이어스에서의 제너 항복현상에 의해서 일정한 전압을 공급한다. ② 발광 다이오드(light-emitting diode)는 순방향 바이어스 상태에서 전류가 인가되면 빛을 방출한다. ③ PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스를 인가하면 PN 접합부의 공핍층이 늘어난다. ④ 광수신 다이오드(photo diode)는 역방향 바이어스 상태에서 빛이 인가되면 전류를 발생시킨다. 문 5. FM 방송에서 FM 변조 전에 프리엠퍼시스 필터를 사용하고 수신측에서는 디엠퍼시스 필터를 사용하는 이유는? ① 수신단 출력 잡음의 고주파 성분을 줄이기 위해 ② 비선형 양자화를 위해 ③ 스테레오 방송을 가능하게 하기 위해 ④ 페이딩 현상을 방지하기 위해 문 6. 그림과 같은 임펄스 응답 h[n]을 갖는 선형 시불변 이산시스템에서 입력신호 x[n]에 대한 출력신호를 y [n]이라고 할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, h [0] ＝1, h [1] ＝－1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 h [n] ＝ 0이다) －3 －2 －1 1 2 3 1 h [n] －1 0 n ① x[n]이 n＝0에서는 1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 0이라면, y [1] ＝ －1이다. ② 모든 n에 대하여 x[n] ＝1이라면, 모든 n에 대하여 y[n] ＝0이다. ③ 입력신호 x[n－2]에 대한 출력신호는 y [n－2]이다. ④ y [n]은 x[n＋1]의 영향을 받는다. 문 7. 다음 차동증폭기 회로에서 입력 임피던스 Zin [kΩ]과 출력전압 Vout [mV]는? (단, BJT는 서로 동일하고, BJT의 전류 이득 βac＝100와 교류 이미터 저항 r'e＝25 [Ω]이다. RE ≫r'e이고 BJT가 활성영역에서 동작한다고 가정한다) Vcc 5 [kΩ] RE －VEE Vout Vin＝ 1 [mV] Zin Vout ① 2.5 100 ② 5 100 ③ 2.5 200 ④ 5 200 문 8. 다음 반전증폭기 회로에서 고역 차단주파수[kHz]는? (단, 연산 증폭기 자체의 중간영역 개방루프 전압이득은 100 [dB]이고 고역 차단주파수는 10 [Hz]이다) － ＋ 1 [MΩ] 10 [kΩ] Vin Vout ① 1 ② 10 ③ 50 ④ 100 전자공학개론 가 책형 2 쪽 문 9 다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL [Ω]은? －＋ 6 [V] RL 2 Vab 6 [Ω] 4 [Ω] Vab ＋ － a b ① 6 ② 8 ③ 10 ④ 12 문 10. 다음 스위칭 전원 회로에서 주기 T마다 듀티싸이클 D의 비율만큼 스위치가 닫힐 때, 정상상태의 출력전압 Vout[V]는? (단, VS＝1 [V], L ＝ 1 [mH], D ＝ 0.5, T＝ 10 [s], R ＝ 50 [Ω], C는 출력전압이 일정하도록 충분히 크고, 다이오드 및 스위치는 이상적이며, 인덕터 전류는 연속이라고 가정한다) Vs L C Vout ＋ － 스위치 R ① 0.25 ② 0.5 ③ 1 ④ 2 문 11. 다음 CMOS 논리회로에서 입력 A ＝ 1, B ＝ 1, C ＝ 0일 때 출력 Y＝ Y1이라고 하고 입력 A ＝ 0, B ＝ 1, C ＝ 1일 때 출력 Y＝ Y2라고 할 때, Y1과 Y2는? A B C A B C VDD Y Y1 Y2 ① 1 1 ② 1 0 ③ 0 1 ④ 0 0 문 12. 다음 BJT 공통컬렉터 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 이 증폭기는 중간주파수대역에서 동작하고 있다고 가정한다) C1 C2 Vcc Vout R2 RE RL R1 Vin ① 전압 이득(Vout/Vin)은 1에 가깝다. ② 높은 입력저항 특성을 가지고 있어 버퍼 역할을 할 수 있다. ③ 커패시터 C1, C2는 직류신호를 차단하는 데 사용된다. ④ 출력신호는 입력신호와 180도의 위상차가 난다. 문 13. 다음 발진기 블록 다이어그램에서, 정상상태의 발진을 만들기 위해 필요한 반전증폭기의 이득 A와 위상변이증폭기의 위상 변이  [°]는? 감쇄기 0.01 ∠ 0 ° 위상변이 증폭기 1 ∠  반전증폭기 A∠ 180 ° A  ① 1 0 ② 1 180 ③ 10 0 ④ 100 180 문 14. 증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? ① 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다. ② 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다. ③ 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다. ④ 드레인－소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다. 문 15. 다음 회로에서 저항 8 [kΩ]의 양단에 걸리는 전압 VL [V]는? 16 [V] 8 [mA] 4 [kΩ] VL ＋ － 8 [kΩ] 4 [kΩ] ① －8 ② －4 ③ 4 ④ 8 전자공학개론 가 책형 3 쪽 문 16. 다음 차단주파수가 fc인 2극 능동 필터 회로에서 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때, 주파수 응답특성의 변화로 옳은 것은? (단, 점선은 다음 회로의 주파수 응답특성이고 실선은 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때의 주파수 응답특성이다. 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다) ＋ － Vin Vout C1 C2 R1 R2 ① 주파수[Hz] 이득[dB]    ② 주파수[Hz] 이득[dB]    ③ 주파수[Hz] 이득[dB]    ④ 주파수[Hz] 이득[dB]    문 17. 다음 회로에서 출력 F의 논리식은? A B C D F ① 1 ②   ③     ④     문 18. 다음 논리식 F와 동일한 논리식은?      ①  ②   ③  ④  문 19 다음 MOSFET 공통소스 증폭기 회로에서 M1이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, M1의 전달컨덕턴스 gm ＝200 [mS], 소신호 출력저항 ro ＝ 10 [kΩ]이고 RD ＝ 10 [kΩ] 이다) VDD RD Vout M1 Vin ① M1의 드레인－소스 전압 VDS는 VOV(＝ VGS－ Vt, Vt는 문턱 전압)보다 작다. ② 증폭기 출력저항 Rout ＝ 10 [kΩ]이다. ③ M1의 얼리전압(Early voltage) VA＝20 [V]이라면 드레인전류 I D ＝ 2 [mA]이다. ④ 증폭기 전압이득 Av＝ 30 [dB]이다. 문 20. 다음 증폭회로에서 입력 전류원 I s ＝ 2 [mA]일 때, 출력전압 Vout [V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ＋ － I S＝ 2 [mA] 2 [kΩ] Vout 1 [kΩ] 10 [kΩ] 5 [kΩ] ① 1 ② 2 ③ 4 ④ 6