전자회로정답(2021-03-06 / 326.8KB / 161회)
전자회로 봉 책형 1 쪽 전자회로 문 1. CMOS 인버터(Inverter)를 설계할 때 NMOS와 PMOS의 채널 길이(Channel Length)를 동일하게 할 경우, PMOS의 넓이 (Width)를 NMOS의 넓이(Width)보다 약 2배 정도로 크게 하는 이유로 옳은 것은? ① NMOS의 누설 전류(Leakage Current)가 작아서 ② PMOS의 누설 전류(Leakage Current)가 작아서 ③ NMOS의 캐리어 이동도(Mobility)가 작아서 ④ PMOS의 캐리어 이동도(Mobility)가 작아서 문 2. 위상고정루프(Phase-Locked Loop)를 FM 복조기로 사용할 때 복조 출력을 얻을 수 있는 곳은? ① 위상 비교기(Phase Comparator)의 입력 ② 위상 비교기(Phase Comparator)의 출력 ③ 전압제어 발진기(Voltage-Controlled Oscillator)의 입력 ④ 전압제어 발진기(Voltage-Controlled Oscillator)의 출력 문 3. 다음 회로에서 Q1과 Q2의 전류 이득이 각각 β1 =20, β2 =50이다. 이 회로를 하나의 트랜지스터로 해석할 때 트랜지스터의 종류와 전류 이득은? Q1 Q2 2 1 3 ① NPN, β = 1050 ② PNP, β = 1050 ③ NPN, β = 1020 ④ PNP, β = 1020 문 4. 다음 회로의 소신호 전압 이득(Vo / Vi)은? (단, Q1과 Q2의 트랜스컨덕턴스는 각각 g m1 , g m2이다. Q1과 Q2의 출력 저항 r o1과 r o2는 무시하고, 공통 베이스 전류 이득 ≈, ≈로 가정한다) ∞ ∞ Q2 ∞ ∞ Q1 ~ ① -g m1 g m2 (R C ||R L ) ② -g m1 (RC ||R L ) ③ g m1 g m2 (RC ||R L ) ④ g m1 (R C ||RL ) 문 5. 다음 회로에 대한 Vi와 Vo의 관계를 나타낸 그래프는? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다) ① 0 ② 0 ③ 0 ④ 0 문 6. 3단 증폭기의 등가모델이 다음과 같을 경우, 입력(Vi)에 0.01 cos(2 × 107t)[mV]의 소신호가 인가될 때, 출력(Vo)에 나타나는 신호로 가장 적절한 것[mV]은? 103 102 0.5 10 pF 10 pF 10 pF 500 kΩ 5 kΩ 5 Ω ① 3.5 cos(2 × 107t - 0.75π) ② 5.5 cos(2 × 107t - 0.5π) ③ 7.5 cos(2 × 107t - 0.75π) ④ 9.5 cos(2 × 107t - 0.5π) 전자회로 봉 책형 2 쪽 문 7. 다음 그림과 같은 플립플롭 회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? D Q D Q D Q Q Q Q CLK ① 반전된 피드백을 가진 쉬프트 레지스터로 존슨 카운터 (Johnson Counter)라고 한다. ② 마지막 플립플롭(D1) 출력 Q이 첫 플립플롭 입력(D3)으로 피드백된 3비트 레지스터이다. ③ 초기 출력상태 Q3Q2Q1 =000 이면 100→110 →111 →011 →001 순서로 출력상태가 변한다. ④ 레지스터가 Q3Q2Q1 = 010 상태에서 CLK이 입력되면 011 상태가 되고, 반대의 경우도 성립한다. 문 8. 다음 회로에서 에 대한 의 전달 특성으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기와 다이오드는 이상적이라고 가정한다) D D ① ② ③ ④ 문 9. 다음 그림은 트랜스컨덕턴스 증폭기, 전압 증폭기, 단위 이득 버퍼로 구성된 IC(Integrated Circuit) 연산증폭기의 내부 구조를 보여주고 있다. 둘째 단 전압 증폭기의 전압 이득이 무한대라고 가정할 때 단위 이득 주파수 f t[Hz]는? (단, Gm은 트랜스컨덕턴스, A는 전압 이득, C는 주파수 보상용 캐패시터이다. 트랜스컨덕턴스 증폭기와 전압 증폭기 및 단위 이득 버퍼는 이상적이라고 가정한다) +1 C Transconductance amplifier Voltage amplifier Unity-gain buffer ① ② ③ ④ 문 10. 다음 회로의 출력 Y를 입력 A, B, C의 함수로 나타내면? A C B Y B A C ① A C B ② A C B ③ BA C ④ BA C 문 11. CMOS를 이용한 논리회로 설계에 대한 다음 설명 중 옳지 않은 것은? ① Pull-up network는 출력을 high로 만드는 역할을 하며 PMOS 트랜지스터로 구성된다. ② Pull-down network는 출력을 low로 만드는 역할을 하며 NMOS 트랜지스터로 구성된다. ③ 정적(Static) 전력소비는 이상적으로 없지만 동적(Dynamic) 전력소비는 공급전압의 제곱에 비례하여 증가한다. ④ 전파 지연(Propagation Delay)은 저레벨에서 고레벨로의 전파 지연(Low-to-High Propagation Delay)과 고레벨에서 저레벨로의 전파 지연(High-to-Low Propagation Delay) 중 큰 값으로 정한다. 문 12. 다음 회로에서 전류 I 값[mA]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드의 순방향 전압은 0.7 V이다) 10 V 1 kΩ 1 kΩ ① 0.7 ② 5.0 ③ 8.6 ④ 9.3 문 13. 고주파대역 3-dB 주파수(Corner Frequency)가 1 GHz인 1단 증폭기 2개를 종속(Cascade)으로 연결하여 2단 증폭기를 구성할 때, 2단 증폭기의 3-dB 주파수로 가장 적절한 것[MHz]은? ① 250 ② 500 ③ 640 ④ 1000 전자회로 봉 책형 3 쪽 문 14. 다음 회로에서 발진 주파수 f 3으로 가장 적절한 것은? 주파수 분주기 (÷C) 위상 비교기 (PC) 주파수 분주기 (÷B) 주파수 혼합기 (MIXER) 주파수 분주기 (÷A) 전압제어 발진기 (VCO) 저역통과필터 (LPF) ① ② ③ ④ 문 15. 다음 회로에서 = -5 V라면, R의 값[kΩ]은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다) 20 kΩ R 10 kΩ 2 V 4 V ① 10 ② 15 ③ 20 ④ 25 문 16. 다음 클록(Clock) 변조회로의 기능으로 옳은 것은? (단, 인버터의 지연시간과 NOR의 지연시간을 고려한다) CKob CKi CKo ① CKi를 2분주하여 CKo와 CKob의 차동클록으로 나누는 회로 ② 듀티(Duty)가 50 %인 차동클록 CKo와 CKob를 만드는 회로 ③ CKo와 CKob의 하이(High) 구간을 겹치지 않게 하는 회로 ④ CKo와 CKob의 로우(Low) 구간을 겹치지 않게 하는 회로 문 17. 다음 연산증폭기를 이용한 사인파 발진기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다) ① 리미터 회로를 포함하는 윈 브리지 발진기이다. ② 발진을 지속하기 위해서는 R 2/R 1 = 2로 선택되어야 한다. ③ 특정한 한 주파수에서 발진하기 위해서 루프 이득의 크기는 0 이어야 한다. ④ 이 회로의 발진 주파수는 ωo= 1/(2RC)이다. 문 18. 전송 게이트(Transmission Gate)는 그림과 같이 C =1일 때 X의 값이 Y로 전송되는 논리회로이다. C C X TG Y X X Y Y C and C C and C 위의 전송 게이트를 이용한 다음 논리회로가 수행하는 논리 연산은? A C F TG0 TG1 (입력) (출력) (입력) ① OR ② NOR ③ XOR ④ XNOR 문 19. 다음 증폭 회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? ~ Q2 Q1 ① 적정값의 C2를 사용하여 위상 여유를 개선할 수 있다. ② C2의 연결에 의하여 루프 이득에 영점(Zero)이 하나 추가된다. ③ C2를 증가시키면 고주파 신호의 출력 전압 이득이 증가한다. ④ R 2를 증가시키면 루프 이득은 감소한다. 문 20. 다음 회로의 CMRR(동상신호 제거율)로 가장 적절한 것은? (단, 트랜지스터 Q1과 Q2에서 =100, VBE=0.6V, 열전압 VT=25mV 이고, 트랜지스터의 출력 저항 r o는 무시한다) +5 V -5 V ~ ~ 2 kΩ 50 Ω 50 Ω 4.4 kΩ Q1 Q2 ① 15 ② 22 ③ 34 ④ 44