
전자회로(9급) 6 - 1 전자회로(9 급) (과목코드 : 093) 2026년군무원채용시험 응시번호: 성명: 1. 다음회로에서전류와전압로가장적절한 것은? (단, BJT 전류이득은= 100 이며, = 로 근사하고Early 효과는무시한다) ①= 1 , = 2 ②= 3.3 , = 6.6 ③= 0.5 , = 1 ④= 1.5 , = 3 2. 다음회로의C와R이이상적이라할때, 해당 회로의특성으로가장적절한것은? ①Band Pass Filter ②Band Stop Filter ③High Pass Filter ④Low Pass Filter 3. 다음그림과같이CMOS로구성된논리회로에서 출력의논리식으로가장적절한것은? ① ②( )( ) ③( ) ④ 4. 이상적인공통에미터증폭기의전압이득이20 [dB] 이다. 컬렉터DC 바이어스전압이5 일때 왜곡없이입력가능한최대입력전압으로가장 적절한것은? ①0.5 ②0.25 ③0.1 ④0.05 5. 이상적인다이오드가순방향바이어스상태일때의 설명으로가장적절한것은? ①개방회로로동작하여전압인가시출력전압이 입력전압과동일하다. ②단락회로로동작하여전압강하가0 이다. ③항복현상이발생하여소자가파괴된다. ④저항이매우커져서전류가거의흐르지않는다. 전자회로(9급) 6 - 2 6. 다음적분기회로에서입력구형파에따른출력파형이 가장적절한것은? (단, 출력의초기전압은0 이다) ① ② ③ ④ 7. 다음증폭기회로의출력전압로가장적절한 것은? (단, 연산증폭기는이상적이고 이다) ①= ②= ③= ④= 8. 다음연산증폭기를이용한가산기회로에서저항 가1 [kΩ] ~ 10 [kΩ]까지변할때, 출력전압의 범위로가장적절한것은? (단, 연산증폭기는이상적이다) ①- 7 ~ - 3.4 ②+ 12 ~ + 8.4 ③- 12 ~ - 8.4 ④- 7 ~ - 3.8 9. 다음연산증폭기에서연산증폭기의최대출력전류 는≤≤의범위에서동작 가능하다. 출력파형으로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 전자회로(9급) 6 - 3 10. 연산증폭기(Op-amp)에대한설명중가장적절하지 않은것은? ①이상적인연산증폭기는이득이무한대이고 입력임피던스가무한대이다. ②이상적인연산증폭기는출력임피던스가0에 가깝다. ③비이상적인연산증폭기의경우입력단에누설전류가 존재할수있으며미스매치등에의한오프셋 전압이존재한다. ④실제연산증폭기가 와같은 주파수특성을가질때, 이를이용한반전, 비반전 증폭기는이득이높을수록3[dB] 동작주파수도 높아진다. 11. 주어진BJT 회로에서공통에미터전류이득 (β)이100이고가0.7 일때, 에미터전류 와컬랙터전압으로가장적절한것은? (단, Early 효과는무시한다) ①= 1 , = 5.3 ②= 1 , = 4.7 ③= 0.5 , = 5.3 ④= 0.5 , = 4.7 12. NPN 및PNP 타입의트랜지스터상보형구조로 구성된B급푸시풀전력증폭기가이상적이지않을 때, 입출력전달특성곡선으로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 전자회로(9급) 6 - 4 13. 다음회로에서Zener 다이오드의전압= 3.3 이고, BJT 의콜렉터에미터포화전압은 0.3 이다. 그리고활성영역에서는무한대로 가정하고저항은바꿀수있을때가장적절하지 않은것은? ①=3.3[kΩ] 일때, 출력전류는거의1 이다. ②= 3.3 [kΩ] 일때, BJT 은활성영역(Active Mode)에서동작한다. ③= 4 [kΩ] 일때, BJT 은활성영역(Active Mode)에서동작한다. ④= 2 [kΩ] 일때, BJT 은활성영역(Active Mode)에서동작한다. 14. MOSFET의기생커패시턴스(Parasitic Capacitance) 가시스템에미치는영향으로가장적절하지않은 것은? ①고주파동작시이득을감소시킨다. ②동적전력소모의원인이된다. ③밀러효과에의해입력용량이증폭되어보일 수있다. ④트랜지스터의스위칭속도를무한히빠르게만든다. 15. 아래의회로에서입력전압()가다음과같이 주어졌을때, 출력전압()으로가장적절한 것은? (단, 다이오드는이상적이다) R vo vI ① ② ③ ④ 16. 다음연산증폭기를이용한회로에대해가장 적절하지않은것은? ①고대역통과필터의특성을갖는다. ②회로의출력임피던스는이상적인연산증폭기를 활용한경우0 [Ω]이다. ③대역폭 이다 ④= = 이다. 전자회로(9급) 6 - 5 17. 노이즈마진(Noise Margin)에대한설명으로 가장적절한것은? ①회로의동작주파수를결정하는주요인자이다. ②논리상태를정확히유지할수있는최대허용 잡음전압을의미한다. ③노이즈마진이작을수록외부간섭에강해진다. ④게이트의전력소모량을나타내는지표이다. 18. 다음연산증폭기를이용한회로에대한설명으로 가장적절하지않은것은? ①비반전증폭기회로이며이득 은3이다. ②출력임피던스는이상적인연산증폭기를사용할 경우0 [Ω]이다. ③입력에서바라본입력임피던스는2.5 [kΩ]이다. ④연산증폭기회로의동작대역폭이작아지면 이회로의동작대역폭도같이작아진다. 19. NMOS 트랜지스터의문턱전압은= 2 이고, = 4 일때, = 10 가흘렀다. 이때 = 5 로증가시키면전류로가장적절한 것은? (단, 트랜지스터는포화영역에서계속동작 하며Early 효과는무시한다) ①15 ②15.625 ③22.5 ④25 20. 반도체다이오드및트랜지스터소자에대한 설명으로가장적절하지않은것은? ①PN 다이오드는P단자에N단자보다문턱 이상의높은전압을인가하면순방향전류가 흐른다. ②제너(Zener) 다이오드는역방향항복전압을 이용하여 일정한 전압에서 Clamping하는 특성이있어전원회로전압조정등에사용 된다. ③NPN Bipolar 트랜지스터의경우전자가다수 전류의캐리어이며활성모드(Active Mode)에서 증폭기등으로활용이적합하다. ④MOSFET의경우게이트에전압을인가해전자 를모아채널을형성하면PMOS, 정공을모아 채널을형성하면NMOS 소자이다. 21. 다음회로의구조에대해가장적절한것은? ①입력임피던스가≈로일반적으로작다. ②에미터축퇴된공통에미터증폭기이다. ③다른공통단자(에미터, 콜렉터, 베이스등) 증폭기들과비교해가장전압이득이높고, 출력임피던스가작다. ④에미터팔로워로서보통이득이1에가깝고 전압버퍼증폭기로도활용된다. 전자회로(9급) 6 - 6 22. 증가형(Enhancement Mode) NMOS 트랜지스터에서 채널이형성되기위해필요한조건으로적절하지않은 것은? ①게이트전압에의해기판의소수캐리어가 표면으로끌어당겨져야한다. ②게이트전압은문턱전압보다낮아야한다. ③충분한크기의전계가산화막을통과하여형성 되어야한다. ④기판과소스단자사이의전압은문턱전압에 영향을줄수있다. 23. 부궤환(Negative Feedback)을증폭기에적용했을 때나타나는현상으로가장적절하지않은것은? ①주파수대역폭이넓어진다. ②전압이득이증가한다. ③비직선왜곡이감소한다. ④이득의안정도가향상된다. 24. BJT기반저항피드백공통에미터증폭기에서 의Collector 전류로가장적절한것은? (단, Early 효과는무시하며, 이고, 순방향 전압은0.7 이며는25 이다) ①1 ②2 ③2.5 ④3 25. 궤환증폭기의감도(Sensitivity) 개선에대한 설명으로가장적절한것은? ①루프이득가클수록감도는나빠진다. ②궤환계수가변할때이득의안정도가가장 크게향상된다. ③개루프이득가변해도폐루프이득의변동폭이 배로줄어든다. ④온도가올라가면부궤환(Negative Feedback) 은자동으로정궤환(Positive Feedback)으로 바뀐다.




















