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전자공학(9급) 6 - 1 전자공학(9 급) (과목코드 : 092) 2026년군무원채용시험 응시번호: 성명: 1. 대표적인반도체물질인실리콘(Si)에대한설명 으로가장적절하지않은것은? ①지구상에흔하게존재하며, 원자들끼리공유 결합을한다. ②실리콘결정에서전도대의최소점과가전자대의 최대점이운동량공간(-Space)에서일치하는 직접전이형밴드갭(Direct Band Gap)을갖는다. ③실리콘결정구조내에서원자들이배열되는 방식은다이아몬드격자구조를따른다. ④절대온도0 [K]에서전자가가득채워진최상위 에너지밴드는가전자대(Valence Band)이다. 2. 그림과같이연산증폭기와저항이연결된회로에서 전압Vi(t)와출력전압Vo(t) 사이의관계로가장 적절한것은? ①Vo(t) = - 6Vi(t) ②Vo(t) = - 18Vi(t) ③Vo(t) = 6Vi(t) ④Vo(t) = 18Vi(t) 3. 고대역폭메모리(High Bandwidth Memory, HBM)에 대한설명으로가장적절하지않은것은? ①여러개의메모리칩을수직으로적층하는 구조이다. ②그래픽DRAM이나범용DRAM에비해높은 데이터전송속도를가지지만동일한양의데이터를 처리할때소모되는전력은더크다. ③인공지능학습과추론및고성능컴퓨터등에 많이사용된다. ④실리콘웨이퍼를직접뚫어전극으로연결하는 실리콘관통전극기술(Through Silicon Via, TSV)을 통해데이터경로를확보한다. 4. 마이크로컨트롤러를기반으로센서·모터와같은 외부장치를프로그래밍으로제어할수있게만든 오픈소스HW / SW 플랫폼인아두이노로발광 다이오드(LED) 10개를켜고끄는회로를설계 하고자한다. 트랜지스터를스위치소자로사용하여 LED 10개를모두점등(LED ON)하고자할때 트랜지스터는어떤영역에서동작시키는것이 가장적절한가? ①차단영역(Cut-off Region) ②포화영역(Saturation Region) ③활성영역(Active Region) ④역활성영역(Reverse Active Region) 전자공학(9급) 6 - 2 5. 10진수‘–11’을8비트2의보수형식으로표현한 것으로가장적절한것은? ①10000100 ②10000101 ③11110100 ④11110101 6. RLC직렬회로에서공진(Resonance)이발생했을때 일어나는특징을기술한것으로가장적절하지 않은것은? ①회로에흐르는전류가최소가된다. ②유도리액턴스와용량리액턴스가같아져서 임피던스는저항R값만을갖는다. ③회로의전압과전류는같은위상을갖는다. ④역률이1이된다. 7. NPN형의 BJT(Bipolar Junction Transistor)에서 베이스접지(공통베이스) 전류증폭률이일때, 에미터접지(공통에미터) 전류증폭률로가장 적절한것은? ① ② ③ ④ 8. 아래와같은주파수응답을얻기위한 회로로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 전자공학(9급) 6 - 3 9. 다음RL회로에서t = 0이되면스위치가닫히며 인덕터에전류가흐른다(에서인덕터의초기 전류는0으로가정)할때, 인덕터전류의시정수 (Time Constant)는얼마인가? ①3 [] ②6 [] ③9 [] ④12 [] 10. 정전용량C인커패시터가전압에의해완전히 충전되어있다. 이어서전원을분리시키고전혀 충전되어 있지 않은 동일한 정전용량 C인 커패시터를병렬로결합하였다. 병렬결합후 커패시터양단의공통전압은얼마이며, 결합후 두커패시터에저장된총에너지는결합전 에너지에비해어떻게되는가? ①, 저장된총에너지는동일하다. ②, 저장된총에너지는절반으로줄어든다. ③ , 저장된총에너지는동일하다. ④ , 저장된총에너지는절반으로줄어든다. 11. 퓨즈는회로에허용된것보다큰전류가흐를 때금속요소가녹아전류를차단해기기·배선· 인명에대한손상과화재를예방하는안전장치라고 할수있다. 예를들어, 전압220 [V]인어떤 가정에서 소비전력 1100 [W]인 다리미와 1540 [W]인에어컨을동시에함께사용하고자 한다면, 필요한 퓨즈의 최소정격전류는몇 [A]이상이어야하는가? ①3 [A] ②6 [A] ③9 [A] ④12 [A] 12. 독립전원을포함하는복잡한선형회로를테브난 (Thevenin) 등가회로로변환하는경우테브난 등가저항(Rth)을구하기위해회로내의독립전 압원과독립전류원을처리하는방법에대한설명으로 가장적절한것은? ①독립전압원, 독립전류원을모두개방(Open)한다. ②독립전압원, 독립전류원을모두단락(Short)한다. ③독립전압원은개방(Open), 독립전류원은단락 (Short)한다. ④독립전압원은단락(Short), 독립전류원은개방 (Open)한다. 전자공학(9급) 6 - 4 13. 다음과같은주기적인교류전류신호의실효값 으로가장적절한것은? ①0 [A] ②[A] ③2 [A] ④[A] 14. J - K 플립플롭에서입력J = 1, K = 1인상태에서 클럭(Clock) 펄스가인가될때, 출력Q의상태 변화에대해설명한것으로가장적절한것은? ①출력Q값은‘0’으로리셋(Reset) 된다. ②출력Q값은‘1’로셋(Set) 된다. ③이전상태에서반전(Toggle) 된다. ④이전상태의값이그대로유지된다. 15. 16진수로표현된수‘A3’을8진수로표현한것 으로가장적절한것은? ①243 ②257 ③343 ④412 16. 평행한무한히긴두도선에동일한크기의 전류가같은방향으로흐르는경우에두도선 간의거리에따라작용하는힘의크기와방향에 대한설명으로가장적절한것은? ①힘은 도선간 거리에 반비례하며, 서로 끌어당기는방향이다. ②힘은 도선간 거리에 반비례하며, 서로 밀어내는방향이다. ③힘은도선간거리의제곱에반비례하며, 서로끌어당기는방향이다. ④힘은 도선간 거리의 제곱에 반비례하며, 서로밀어내는방향이다. 17. 진성반도체에특정불순물을첨가함으로써p형 혹은n형반도체를만들수있다. 실리콘(Si) 반도체에 불순물로갈륨(Ga)을인위적으로첨가하는경우에 (A)형반도체가되며, 인듐(In)을인위적으로첨가하는 경우에(B)형반도체가된다. 이경우(A), (B)에 들어갈것으로가장적절한것은? ①(A) : p, (B) : p ②(A) : p, (B) : n ③(A) : n, (B) : p ④(A) : n, (B) : n 18. 신호의푸리에변환이일때, 의 푸리에변환으로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 전자공학(9급) 6 - 5 19. 다음회로와같이A, B 단자사이에6개의 커패시터가연결되어있는경우, AB 단자간의 전체등가커패시턴스(CT) 값으로가장적절한 것은? ①1 [μF] ②2 [μF] ③3 [μF] ④6 [μF] 20. 저항(R)과커패시터(C)만을사용하여위상천이 네트워크를구성하며, 오디오주파수대역과 같은저주파대역용으로주로사용되는발진기로 가장적절한것은? ①하틀리발진기(Hartley Oscillator) ②콜피츠발진기(Colpitts Oscillator) ③윈브리지발진기(Wien Bridge Oscillator) ④수정발진기(Crystal Oscillator) 21. 다음과같이독립전압원과독립전류원을포함하는 회로에서R = 3 [Ω] 인경우저항R에서소비하는 전력값으로가장적절한것은? ①12 [W] ②18 [W] ③27 [W] ④36 [W] 22. 항복전압(Breakdown Voltage) 부근에서전류가 급격히변해도전압이거의일정하게유지되는특성을 이용하여주로전압조정기(Voltage Regulator)와 같은정전압회로에사용되는다이오드로가장 적절한것은? ①버랙터다이오드(Varactor Diode) ②제너다이오드(Zener Diode) ③쇼트키다이오드(Shottky Diode) ④터널다이오드(Tunnel Diode) 전자공학(9급) 6 - 6 23. 다음그림의회로와같이저항R과커패시터 C가직렬로연결된회로에서직류전압이인가 되는경우과도응답을결정하는시정수(Time Constant, )로가장적절한것은? ①1/RC ②RC ③R/C ④C/R 24. 자유공간에서균일하게대전되어있는무한히 긴도선으로부터수직으로1 [m] 떨어진곳의 전계강도(Electric Field Intensity)의크기가A 였다. 이경우동일한무한도선으로부터수직거리로 2 [m] 떨어진곳의전계강도의크기로가장적절한 것은? ①A/8 ②A/4 ③A/2 ④A 25. 조합논리회로(Combinational Logic Circuits)에 대한설명으로가장적절하지않은것은? ①출력값이현재의입력만으로즉시결정된다. ②조합 논리회로의 예로는 가산기, 비교기, 멀티플렉서등이있다. ③회로내에피드백루프(Feedback Loop)가존재 하지않는다. ④플립플롭(Flip - Flop)이기본구성요소로사용 된다.
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