전자공학_9급(최종)정답(2025-07-05 / 447.6KB / 191회)
전자공학(9급) (과목코드 : 092) 2025년 군무원 채용시험 응시번호 : 1. 아래 그림에 있는 가변 저항기(potentiometer) 회로에서는 전류 i를 최소 1A에서 최대 10A 까지 조절할 수 있도록 설계하려고 한다. 이를 위해 필요한 저항 R1값과 R2의 최대값으로 가장 올바른 것은? (단, R2는 0Ω에서 1kΩ 사이의 변하는 저항값을 갖는다) 성명 : 3. 다음 그림과 같이 매우 긴 평행한 두개의 도선 A, B가 있으며 도선에 흐르는 전류의 방향은 반대 이다. 이 경우 d=1m인 경우에 비해 d=2m로 늘어난 경우 자기력에 의해 도선에 발생하는 힘에 대한 보기의 설명 중 가장 적절한 것은? ① R1=12Ω, R2=10Ω ② R1=11Ω, R2=99Ω ③ R1=10Ω, R2=12Ω ④ R1=22Ω, R2=198Ω 2. 아래 그림에 보인 회로는 정현파(sinusoid) 입력 전압 vi(t)에 대한 출력 전압 vo(t)을 위한 필터 (filter) 기능을 한다. 이 필터의 기능을 가장 올바르게 기술한 것은? ① 저역통과필터(Low-pass filter) ② 고역통과필터(High-pass filter) ① 도선이 받는 힘은 1/4로 줄어들며, 방향은 서로 끌어당기는 방향이다. ② 도선이 받는 힘은 1/2로 줄어들며, 방향은 서로 끌어당기는 방향이다. ③ 도선이 받는 힘은 1/4로 줄어들며, 방향은 서로 밀어내는 방향이다. ④ 도선이 받는 힘은 1/2로 줄어들며, 방향은 서로 밀어내는 방향이다. 4. 2변수 논리함수 F(A,B)의 진리표가 다음과 같을 때, F의 최소표현식으로가장올바른것은? A 0 0 1 B F 0 1 0 1 1 0 1 ③ 대역차단필터(Band-stop filter) ④ 대역통과필터(Band-pass filter) ① ② ∙ ③ ④ 1 0 전자공학(9급) 5- 1 5. Si p-n 다이오드에서 역방향포화전류 Io(reverse bias saturation current)는 온도가 증가하면서 같이 증가한다. 이 현상에 대한 설명으로 가장 적절한 것은? ① 온도가 올라가면 정공과 전자의 재결합이 줄어들기 때문이다. ② 접합면 경계 영역에서 드리프트(drift)를 위한 소수 캐리어의 생성이 촉진되기 때문이다. ③온도가올라가면도핑농도가증가하기때문이다. ④온도가 올라가면 전자의 이동 속도가 느려지기 때문이다. 6. 아래 그림(A)와 같은 파형의 입력전압이그림(B)와 같은 연산 증폭기(Op amp)에 입력되었다. 입력 전압vin이 주기적으로 ... +V,-V ... 값을 가지는 정 사각형펄스일때, 출력전압vout의파형에대한설명 으로가장적절한것은? (단, 초기 출력전압은0V 이며, 연산 증폭기의 포화현상은고려하지않는다) ① 출력은 구간별로 선형적으로 증가 또는 감소 하는 파형으로, 사다리꼴 형태가 반복된다. ② 출력은 정현파처럼 매끄러운 곡선을 따르며, 위상은 입력과 같다. ③ 출력은 계단파 모양으로 불연속적인 점프를 하며, 입력에 정비례한다. ④ 출력은 삼각파 형태를 따르며, 주기적으로 증가하고 감소한다. 7. 200 cos(100πt- 66°)V의 교류전원이 1kΩ 저항의 부하(load)에 연결되어있다. 이 전원의 실효전압 (effective voltage) Veff와 피상전력(apparent power) S를 바르게 짝지은 것은? ① Veff =200V, S=40VA ② Veff =200V, S=80VA ③ Veff =200 V, S= 40VA ④ Veff =200 V, S= 80VA 8. 귀환 발진기에 관한 설명으로 가장 적절하지 않은 것은? ① 폐귀환 루프의 전압이득이 정상상태에서 1이어야 한다. ② 폐귀환 루프의 전압이득이 시동상태에서 1보다 커야 한다. ③ 발진기의 입력전력은 출력전력보다 적다. ④ 폐귀환 루프의 위상변이가 0이어야 한다. 9. 반도체에 대한 설명으로가장적절하지않은 것은? ① 진성반도체는온도가증가함에따라자유전자의 농도가 증가한다. ② p타입 반도체의 억셉터(acceptor)의 농도를 높이면 전자의 농도가 증가한다. ③ 실리콘의 최외각 전자의 수는 4이다. ④ Si에 Al을 도핑하면 p타입 반도체가 된다. 전자공학(9급) 5- 2 10. 아래는 R인 저항과, 리액턴스 XL인 인덕터를 직렬로 연결한교류회로의회로특성값을구하는 공식이다. 이 회로에는 크기 Vs의 정현파 전압이 인가되어 있을 때, 가장 적절하지 않은 공식은? (단, ) ① 임피던스(impedance) 위상값 tan ② 역률(power factor) cos tan ③ 임피던스(impedance) ④ 임피던스(impedance) 크기 11. 아래 회로는 정류회로이다. 이 정류회로의 입력 전압이 정현파 일 때 출력전압은 일정하지 않고 리플전압(ripple voltage) 을 갖는다. 이 리플 전압에 대한 설명으로 가장적절하지않은것은? ① R 값을 크게 하면 은 커진다. ② C 값을 크게 하면 은 작아진다. ③ 입력 정현파 전압의 진폭(amplitude) 을 크게 하면 은 커진다. ④ 입력 정현파 전압의 주기 T을 크게 하면 은 커진다. 12. 그림의 회로의 출력 전압 Vout으로 가장 적절한 것은? ① 2V ② 3V ③ 4V ④ 6V 13. 정현파 교류회로에서 어떤 커패시터에 실효전압 (effective voltage) 20V가 인가되었을 때 100mA의 실효전류(effective current)가 흐른다. 이 커패 시터의 유효전력(real power) P를 가장 올바르 게 계산한 것은? ① P=-100W ② P=0W ③ P=100W ④ P=200W 14. 아래 반가산기(Half Adder)에 A=1, B=0이 입력되었을 때의 출력으로 가장 적절한 것은? ① S=0, CO=0 ② S=1, CO=0 ③ S=0, CO=1 ④ S=1, CO=1 전자공학(9급) 5- 3 15. 다음 연산증폭기 회로에서 각 입력전압(Vin1, Vin2, Vin3)에 따른 출력 전압 Vout을 가장 올바르게 구한 것은? ①-13V ②-6.5V ③-5.4V ④-4.8V 16. 면적은 S이고 두 개의 금속판 사이의 거리가 d인 평행판 커패시터가 있다. 두금속판간전압이 5V 일 때 이 커패시터에 저장된 에너지는 K[J] 이었다. 동일한 면적의 금속판 사이의 거리를 2배인 2d로 변경하고, 평행판 커패시터의 두 금속판 간 전압을 10V로 변경한 경우에 저장된 에너지로 가장적절한것은? (단, 두금속판사이의 물질은 변화가 없이 동일하다고 가정한다) ① 0.5K ② 1K ③ 2K ④ 4K 17. 아래 회로에 사용된 다이오드는 역방향 항복 전압이 5V이고 순방향 turn-on 전압은 0.7V인 제너(Zener) 다이오드이다. 에 전달될 수 있는 전압의 범위로 가장 적절한 것은? ① V V ② V V ③ V V ④ V V 18. 아래 회로에서 값으로 가장 적절한 것은? (단, V, =100) ① 1V ② 2V ③ 3V ④ 4V 19. 아래 회로의 입력 , 와 출력 사이의 관계로 가장 적절한 것은? (단, op-amp는 이상적이다) ① ② ③ ④ 20. 아래 전력 삼각도(power triangle)에서 무효전력 (reactive power) Q를 가장 올바르게 표현한 것은? ① tan ② tan ③ cos ④ cos 전자공학(9급) 5- 4 21. 어떤 시간 함수 를 라플라스 변환하였더니 이었다. 이경우≥인구간에서 를 나타낸 것으로 가장 적절한 것은? ① ② ③ ④ 22. 다음 그림과 같은 논리회로에 대해 출력 Y에 대한 카르노맵을 네가지 입력 A, B, C, D에 대하여 구성하고자 한다. 카르노맵의 (가), (나), (다)에 들어갈 것을 순서대로 나타낸 것 중 가장 적절한 것은? AB CD 00 01 11 10 00 01 (가) (나) 11 10 (다) ① (가): 0, (나): 0, (다): 0 ② (가): 0, (나): 0, (다): 1 ③ (가): 1, (나): 0, (다): 0 ④ (가): 1, (나): 1, (다): 0 23. 공통소스 MOSFET 증폭기(Common-Source Amplifier)에 대한 설명 중 가장 적절한 것은? ① 출력 신호는 입력 신호와 위상이 같다. ② 입력은 드레인(Drain) 단자에 인가된다. ③ 전압 이득이 거의 없다. ④ 입력 신호를 증폭하며 위상이 반전된다. 24. RLC 병렬 공진회로에서 더 낮은 공진 주파수를 얻으려 할 때, 커패시터(capacitor)의 커패시턴스 (capacitance)를 어떻게 변화시키는 것이 가장 적절한가? ① 증가해야한다. ② 감소해야한다. ③ 무관하다. ④ 인덕턴스로 대체되어야한다. 25. 아래 그림은 R=100Ω, C=10μF으로 구성된 직렬 RC 회로를 보이고 있다. 입력 전압은 vin(t)= 10cos(ωt) V이다. 이 회로의 임피던스의 크기 |Z|와 전류의 위상각 φ를 가장 적절하게 나타낸 것은? (단, =1.41, =1.73, tan-1(1) = 45∘, ω = 1000 rad/s, t : 단위 s) ① |Z| = 141 Ω, φ =-45∘ ② |Z| = 141 Ω, φ = 45∘ ③ |Z| = 173 Ω, φ =-45∘ ④ |Z| = 173 Ω, φ = 45∘ 전자공학(9급) 5- 5