전자회로_7급(최종)정답(2025-07-05 / 301.0KB / 22회)
전자회로(7급) (과목코드 : 093) 2025년 군무원 채용시험 응시번호 : 1. 다음과 같은 병렬회로에서 의 값으로 가장 적절한 것은? 성명 : 3. 다음과 같은 가산증폭기에서 출력전압으로 가장 적절한 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ① ② ③ ④ 2. 다음과 같은 트랜지스터 스위칭 회로 구성에서 일 때, 의 값(a)과 가 200일 때, = . = . . . ① ② ③ ④ − + 4. 아래의 그림과 같은 콜렉터 귀환 바이어스 이 트랜스지터를 포화시키기 위한 의 최솟값(b) 으로 가장 적절한 것은? + ① (a) (b) min ② (a) (b) min ③ (a) (b) min ④ (a) (b) min 회로에서 Ω일 때, 를 로 하기 위한 의 값으로 가장 가까운 것은? (단, 이다) + ① Ω ② Ω ③ Ω ④ Ω 전자회로(7급) 6- 1 전자회로(7급) 6-2 5.T형플립플롭을접속하고첫번째플립플롭에 의구형파를가했을때최종플립 플롭에서의출력주파수로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 6.그림과같은병렬클리퍼회로의출력파형으로 가장적절한것은? (단,다이오드의문턱전압은 0.7[V]이다) ① ② ③ ④ . −. . −. . −. . −. 7.다음과같은회로에서차단주파수의값으로 가장가까운것은? ①≅ ②≅ ③≅ ④≅ 8.그림과같은반파정류회로에서출력전압의 첨두값과평균값으로가장가까운것은? (단, 다이오드의문턱전압은0.7[V]이다) +. −. 1.0kΩ ① ② ③ ④ 9.아래의그림과같은회로에서 이고, 일때,출력특성곡선의일정한 전류영역에서트랜지스터소자가동작할수있는 의값으로가장적절한것은? + − ① ② ③ ④ 전자회로(7급) 6-3 10.연산증폭기의개회로전압이득이200,동상 이득 이0.2라면,연산증폭기의동상제거비 (CMRR)로가장적절한것은? ① ② ③ ④ 11.다음과같은연산증폭기입력에대한출력파형 에서슬루율의값으로가장적절한것은? () ① ② ③ ④ 12.다음과같은브리지정류기회로에서다이오드의 PIV(Peak InverseVoltage)정격으로가장가까운 것은? (단,트랜스의1차전압은, 2차 전압은이며, ,각다이오드의 문턱전압은이다) + − ① ② ③ ④ 13.다음과같은증폭기회로에서Ω일때 교류출력전압값으로가장적절한것은? + − + − . ① ② ③ ④ 14.아래논리회로출력으로가장적절한것은? A VDD A C C D D VDD F B B ①∙∙ ②∙∙ ③∙ ④∙ 15. 어떤 비반전 증폭기는 Ω의 와 Ω의 를 갖는다. 이때, 폐루프 이득의 값으로 가장 적절한 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다) ① 1,000 ③ 151 ② 1,001 ④ 150 16. 그림의 고역 능동필터에서 Ω, Ω Ω 일 때, 2차 고역 통과 필터의 차단 주파수로 가장 적절한 것은? (단, 연산 증폭기는 이상 적이다) ① ≈ ② ≈ ③ ≈ ④ ≈ − − + 17. 다음과 같은 고정 바이어스 회로에서 와 의 값으로 가장 적절한 것은? (단, VBE=0.7[V] 이다) =+. ac input F + − ① ② ③ ④ F = ac output 18. 다음 회로에 아래의 삼각파형이 입력되는 경우 출력 파형으로 가장 적절한 것은? R1 C1 Vin Vout ① 사인파 1V 0V-1V Vin ② 삼각파 ③ 톱니파 ④ 구형파 t 19. MOSFET 공통소스(CS) 증폭기의 소스 단자와 접지 사이에 저항 RS를 연결한 증폭기에 대한 설명으로 가장 적절한 것은? ① 출력저항은CS 증폭기출력저항의1/(1+gmRS) 로 감소한다. ② 입력저항은 CS 증폭기 입력저항의 1/(1+gmRS) 로 감소한다. ③ 전압이득의 대역폭은 CS 증폭기 전압이득 대역폭의 1/(1+gmRS)로 감소한다. ④ 전압이득의크기는CS 증폭기 전압이득크기의 1 / (1+gmRS)로 감소한다. 전자회로(7급) 6- 4 20. 다음 중 회로에 출력전압(Vout) 값으로 가장 적절한 것은? 5V 4.5kΩ W/L=10 ① 0.5[V] ② 1[V] ③ 1.5[V] ④ 2[V] 5V W/L=10 VGS1=0.5V W/L=10 5V W/L=20 Vout 1kΩ 21. MOSFET에 대한 설명으로 가장 적절하지 않은 것은? ① 트라이오드(Triode) 영역에서는 드레인-소스 전압(VDS)과 드레인 전류(ID)는 선형 함수이다. ② 포화(Saturation) 영역에서 소신호 특성은 전류원처럼 보인다. ③ 포화(Saturation) 영역에서 채널길이변조 효과에 의하여 드레인-소스 전압(VDS)이 증가하면 드레인 전류(ID)도 비례하여 증가한다. ④ 포화(Saturation) 영역에서 트랜지스터의 소신호 모델이 만들어진다. 22. 반도체 소자에 대한 설명으로 가장 적절하지 않은 것은? ① 진성반도체에 5족 원소를 도핑하면 n형 반도체가 된다. ② n형 반도체의 다수 캐리어는 정공이다. ③ 실리콘원자는4개의이웃원자들과공유결합을 한다. ④ 진성반도체에서는 온도가 증가하면 자유전자가 증가한다. 23. 아래의 회로에서 트랜지스터 컬렉터 노드 전압Vc 값으로 가장적절한것은? (단, VBE=0.7[V]이다) 4V 4V 1kΩ 1.3kΩ 1kΩ 1.5kΩ ① 1[V] Q1 Q1 VC ② 1.3[V] ③ 1.5[V] ④ 2[V] 24. 트랜지스터에 흐르는 컬렉터 전류 Ic의 값으로 가장 적절한 것은? (단, β=100, VBE=0.8[V]이다) 5V Q2 100kΩ Q1 IC 1kΩ ① 1.7[mA] ③ 2.1[mA] ② 1.8[mA] ④ 3.4[mA] 전자회로(7급) 6- 5 25. 다음 회로(a)에서 a-b단자에서 왼쪽으로 본 회로를 테브난(b)과 노튼(c) 등가회로로 변경할 때 , , 의 값으로 가장 적절한 것은? ① , , [㏀] ② , , [㏀] ③ , , [㏀] ④ , , [㏀] 전자회로(7급) 6- 6