2022 군무원 7급 전자회로 문제 정답 - 2022.7.16.

 

7급_전자회로정답(2022-07-16 / 461.1KB / 442회)

 

 전자회로(7급) 6 - 1 전 자 회 로 ( 7급 ) (과목코드 : 093) 2022년 군무원 채용시험 응시번호 : 성명 : 1. 다음의 회로에서 교류 입력전압이 120V일 때, 커패 시터 양단의 전압  로 가장 적절한 것은? (단, 다이오드 순방향 전압강하는 0.7V) ① 61.4V ② 118.6V ③ 125.4V ④ 240.7V 2. 다음  를 갖는 이미터 공통접지 증폭회로이다. 전압 이득을 나타내는 식으로 가장 적절한 것은? ①        ②    · ③           ④            3. 다음의 회로에서 트랜지스터의  = 100일 때, 콜렉터와 이미터 사이의 전압 로 가장 적절한것은? (단,  = 0.7V) ① 3.3V ② 4.7V ③ 1.8V ④ 2.0V 4. 다음의 회로에서 트랜지스터가 포화되기위해필요한 입력전압으로 가장 적절한 것은? (단, 포화를 확실히 시키기 위해 베이스 전류는최소 베이스 전류값의 2배를 사용한다.  = 0.7V,  = 0.2V,  = 100) ① 2.6V ② 3.1V ③ 4.7V ④ 5.2V 전자회로(7급) 6 - 2 5. 다음의 회로에서 트랜지스터 , 의 전류 증폭 률  =  = 100일 때, 의 베이스 입력 임 피던스   으로 가장 적절한 것은? (단,   = 0.7V,  , 의 교류 이미터 저항 ′ 는 무시한다.) 1µF 1µF ① k ② k ③ k ④ k 6. 전력 증폭기의 직류 공급전압은 10V, 전류는 500mA 이고, 효율(: efficiency)이 70%일때, 이 증폭기의 교류 출력 전력으로 가장 적절한 것은? ① 1.7W ② 2.6W ③ 3.5W ④ 5.6W 7. 다음의 회로에서 전달 컨덕턴스  = 5mS 일 때, 교류 출력 전압으로 가장 적절한 것은? ① 75mV ② 50mV ③ 100mV ④ 125mV 8. 다음의 차동증폭기 회로에서 트랜지스터 의콜렉터 전압  로 가장 적절한 것은? (단,  = 0V 로 가정한다.) ① 2V ② 3V ③ 4V ④ 6V 9. 다음의 회로에서 입력 바이어스 전류로 인한출력오차를 제거하기 위한 저항  상으로 가장 적절한것은? ① 2.5k ② 5k ③ 10k ④ 20k 전자회로(7급) 6 - 3 10. 다음의 회로에서 출력 전압 의 값으로 가장 적절한 것은? ① 8V ② 6V ③ 2V ④ 15V 11. 다음의 회로에서 발진주파수 의 값으로 가장 적절한 것은? ① 35kHz ② 59kHz ③ 10kHz ④ 22kHz 12. 다음의 회로에서 출력 전압 의 값으로 가장 적절한 것은? (단, 의  는 무시한다.) ① 28.5V ② 32.5V ③ 18.6V ④ 39.1V 13. 다음의 회로에서 입력 정현파의 최대치가 200V, 60Hz일 때, 부하에서의 최대 출력전압으로가장적절한 것은? (단, 다이오드 순방향 전압강하는 0.7V)     ① 49.3V ② 48.6V ③ 47.2V ④ 23.6V 14. 다음 회로의 전압 이득으로 가장 적절한 것은? ①          ②    · ③       ∥  ④         전자회로(7급) 6 - 4 (1) (2) (3) (4) (5) ① n pMOS metal n+ n-well ② p+ pMOS metal n+ p-well ③ p+ nMOS SiO p+ n-well ④ n+ nMOS SiO p p-well 15. 다음은 실리콘웨이퍼에 만들어지는 CMOS 트랜지 스터의 단면도이다. (1) ~ (5)의 물질 및 기능에 대한 설명으로 가장 적절한 것은? 16. 다음 가중가산기(weighted-summer)에서  = 0.8V,  = 1.1V,  = 0.5V이고,  =  =  = 5k ,  = 10k일 때, 으로 가장 적절한 것은? ① 4.8V ② 2.4V ③ -4.8V ④ -2.4V   ①            ②        ③            ④         17. 다음은 common source 증폭 회로이다. (a)회로의  를 (b)와 같이 등가회로로 변환하였다. Miller 이론을 적용하면 과 의 값으로가장 적절한 것은? 18. 다음 common source 증폭기의 이득전달함수H(s)를 구하였을 때, 3dB 주파수 로 가장적절한 것은? ①   ②   ③   ④   전자회로(7급) 6 - 5 19. 다음은 common source 증폭 회로이다. 회로가 saturation에서 동작하고 = 1mA,  양단에 전압이 250mV 소요된다. 이때 이득이 5가 되기 위한 값으로 가장 적절한 것은? (단,  의 / = 10/0.18,  = 100A/V ,  = 0.5V이다.) ① 1.2k ② 2.7k ③ 250 ④ 2.0k 20. 다음 정전압회로의 최대 부하전류로 가장 적절한 값은? (단,  =  = 0.7V이다.)   ① 0.7A ② 10.2A ③ 2.6A ④ 5.1A 21. 다음은 전류거울 회로이다. 를 로 나타낼때, 가장 적절한 식은? ①  =       ②  =    ③  =    ④  =         22. 다음 중 submicron MOS트랜지스터에서 발생하는 second order effect에 대한 설명으로가장적절하지 않은 것은? ① 드레인 전압 상승으로 인해 드레인과 body 사이의 공핍 영역이 증가한다. ② MOSFET의 oxide층이 얇아 게이트에서소스나 드레인으로 electron tunneling이발생한다. ③ 채널의 길이가 짧아지므로 전계의 세기가커져서 hot electron들이 발생한다. ④ 채널길이변조계수(channel-length modulation coefficient) λ는 게이트 길이가 짧아질수록작아진다. 전자회로(7급) 6 - 6 23. 다음은 이미터 저항을 갖는 common emitter 증폭 회로이다. 콜렉터 전류값( )으로 가장 적절한 것은? (단, = 150,  = 0.7V) ① 2.83mA ② 3.58mA ③ 2.54mA ④ 3.8mA 24. 다음은 이미터 follower 회로이다. 설명 중 가장 적절하지 않은 것은? (단  = 이다.) ① 전압이득  =  이다. ② 전압이득  =      이다. ③ 출력저항이   이다. ④ 전압이득  1이다.    ① ② ③ ④ 25. 다음은 차동 증폭회로이다. 의 베이스에입력이 인가될 때,  ,  ,  노드의파형으로 가장 적절한 것은? P    P 디지털공학(7급) 5 - 7