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전자공학개론정답(2021-04-30 / 131.5KB / 154회)
【 전자공학개론 】 1. 다음 중 정류회로의 구성요소와 거리가 먼 것은? | 6. 그림과 같은 회로에 관한 설명 중 옳지 않은 1 전원 변압기 것은? 2 필터회로 3 안정화회로 4 궤환회로 5 정류회로 2. 0.25 [S]의 저항 4개가 병렬로 연결되어 있는 회로에 9 [V]의 전압이 인가되면 흐르는 전체 전류는 몇 [A]인가? Voltage follower 2 입력과 출력의 위상이 다르다. 3 입력전압과 출력전압의 크기가 같다. 4 입력 임피던스가 매우 크다. 5 완충증폭기이다. N W 0 0 1 3. 이상적인 연산증폭기의 특징으로 옳지 않은 것은? 1 전압이득이 0이다. 2 출력 임피던스가 0이다. 3 CMRR이 무한대이다. 4 입력 임피던스가 무한대이다. 5 대역폭이 무한대이다. 7. 저주파 증폭기에서 부궤환 회로를 사용하는 | 목적 중 옳지 않은 것은? 1 왜곡 개선 2 잡음 제거 3 이득을 크게 함 4 주파수 특성 개선 5 안정도 향상 4. 미분회로에 삼각파가 입력되었다면 출력 파형은? 1 정현파 2 여현파 3 구형파 4 삼각파 5 톱니파 8. FET 특성에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? 1 입력 임피던스가 크다. 2 다수 캐리어에 의해서 동작한다. 3 단극성 소자이다. 4 게이트 전류(Ie)에 의해 드레인 전류(I)가 제어 된다. 5 BJT보다 잡음이 적다. 5. BCD 부호를 10진수로, 2진수를 8진수나 16진수로 변환하기 위해 사용되는 회로는? 1 인코더 2 멀티플렉서 3 디멀티플렉서 4 패리티체커 5 디코더 9. 트랜지스터를 증폭작용에 이용할 경우 동작 | 상태는? 1 포화상태 2 차단상태 3 활성상태 4 역활성상태 5 비활성상태 전자공학개론 A-1 10. PLL(Phase Locked Loop)의 구성과 관계가 | 14. 회로망 중에서 임의의 접속점에 유입하는 없는 것은? 전류의 총합과 유출되는 전류의 총합은 같다. 1 위상 검출기 이와 같은 법칙을 무엇이라 하는가? 2 증폭기 1 키르히호프의 전류 법칙 3 저역통과 필터 2 키르히호프의 전압 법칙 4 전압제어 발진기 3 쿨롱의 법칙 5 고역통과 필터 4노턴의 법칙 5 패러데이의 법칙 11. 다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은? 1 하틀레이 발진기 15. 2분 동안에 480 [J]의 일을 하였다면, 이때 소비전력은 몇 [W]인가? 2 클랩 발진기 3 콜피츠 발진기 4 멀티 바이브레이터 5 수정 발진기 2 4 6 8 5 10 12. 다음 연산증폭기에서 입력이 각각 | Vi = 5V, V = 2 V, Vs = 3 V 일 때 출력전압V]은? 1000k N 101 Vi omnes | 10[k21 Van W | 10[k] V30---- 16. 다이오드의 응용으로 옳지 않은 것은? 1 주파수 체배 2 신호 혼합 3 진폭 제어 4 주파수 제어 5 전류 조정 17. 200 [Hz]의 주파수가 갖는 아날로그 신호의 | 주기는 몇 ms인가? 11 1 -100 2 100 3 155 4 -155 5 125 25 3 10 4 25 5 50 13. 전류의 흐름에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? 1 전위차는 전류를 발생한다. 2 1 암페어는 단위 시간당 6.25 X 1018개의 | 전자가 이동할 때로 정의한다. 3 도체의 전기저항은 단면적에 비례한다. 4 컨덕턴스는 전류가 흐르기 쉬운 정도를 나타낸다. 5 전류의 방향은 전자의 흐름에 반대방향이다. 18. 에벌런치 전압(avalanche voltage)을 통상 초과해서 동작시키는 경우는 P-N 접합이 무엇으로 동작할 때인가? 1 전류 정류기 2 가변 저항 3 가변 커패시터 4 전압 조절기 5 증폭기 전자공학개론 A-2 19. 정류회로에 대한 설명 중 옳은 것은? 1 입력전압과 기준전압을 비교하는 회로 2 맥류를 다듬어 리플을 줄여서 직류를 얻어 내는 회로 3 출력전압을 디지털 변환 레벨과 같이 정해진 | 값으로 고정하는 회로 4 신호의 한 시점에 대한 순간적인 변화율을 계산하는 회로 5 양방향으로 변화하는 교류전류를 한 방향만 가지는 직류회로로 변환하는 회로 23. MOS FET에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? 1 MOS FET는 Unipolar(단극성) 트랜지스터이다. 2 NMOS FET의 다수캐리어는 정공(hole)이 전류의 구성이 된다. 3 MOS FET는 기본적으로 게이트가 실리콘 이산화물층으로 채널과 절연되어 있어 게이트 전류가 매우 적다. | 은 증가형 n 채널 MOS FET의 기호를 나타낸 것이다. 5 p 채널 증가형 MOS FET가 포화영역에서 동작하려면 드레인 전압이 게이트 전압보다 문턱전압(threshold voltage) 이상 높아야 한다. 20. 최대전압이득이 1이며, 이미터 플로워라고 불리는 소신호 증폭기는? 1 공통 이미터 증폭기 2 공통 콜렉터 증폭기 3 공통 베이스 증폭기 4 푸쉬풀 증폭기 5 공통 소스 증폭기 24. 그림과 같은 회로에서 공진 시 어드미턴스를 바르게 나타낸 것은? R 21. 트랜지스터의 바이어스 방식 가운데 단일 극성의 공급 전압원을 이용하여 동작점의 안정성이 매우 우수한 것은? 1 고정 바이어스 2 베이스 바이어스 3 전압분배 바이어스 4 콜렉터 피드백 바이어스 5 전류 바이어스 22. 변조방식에 관한 설명 중 옳지 않은 것은? 1 PPM(Pulse Position Modulation)에서는 양자화를 하지 않는다. 2 PCM(Pulse Code Modulation)은 디지털 전송방식이다. 3 PWM(Pulse Width Modulation)은 아날로그 방식의 변조기술이다. 4 PCM 방식은 다중화 과정이 반드시 필요 하다. 5 PCM 방식은 품질이 낮은 전송로에서도 사용이 가능하다. 25. 2진 부호 10010111을 그레이 부호(Gray Code)로 바르게 변환한 것은? 1 11011100 2 01100101 3 11100101 4 01011100 5 11101000 전자공학개론 A-3
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